为了满足集成式陀螺芯片对高精度质量块的要求，该文采用电子束镀膜(EBPVD)工艺代替传统的电镀工艺，在石英微机械陀螺芯片音叉端部制作了厚约2 μm的质量块，并对质量块厚度均匀性、对准精度一致性及膜层附着力进行了研究。首先，通过调整镀膜高度和角度以满足厚度精度要求；其次，为了保证对准精度，设计了掩膜夹具和位置调整夹具；最后，通过实验确定了最佳镀膜参数。此外，对制作的质量块进行了激光修调实验，经过修调后，陀螺机械耦合误差信号的幅值从初始的301.0 mV降至17.6 mV。

Indium gallium nitride (InGaN) based blue light-emitting diodes (LEDs) suffer from insufficient crystal quality and serious efficiency droop in large forward current. In this paper, the InGaN-based blue LEDs are grown on sputtered aluminum nitride (AlN) films to improve the device light power and weaken the efficiency droop. The effects of oxygen flow rate on the sputtering of AlN films on sapphire and device performance of blue LEDs are studied in detail. The mechanism of external quantum efficiency improvement is related to the change of V-pits density in multiple quantum wells. The external quantum efficiency of 66% and 3-Voperating voltage are measured at a 40-mA forward current of with the optimal oxygen flow rate of 4 SCCM.

为实现45°入射情况下K9基底上双波段截止分色的特性(截止带波长0.5~0.68 μm、0.73~0.79 μm, 通带波长0.83~0.87 μm), 采用F-P型的带通滤光片膜系结构为初始结构, 与常规设计理念相比有效减少了膜层的数量, 薄膜的高折材料采用TiO2, 低折材料采用SiO2, 以实现双波段截止的目的。膜层的设计层数为23层, 总厚度为2.278 μm, 借助电子束蒸发物理气相沉积法实现了镀制, 利用分光光度计对镀制样品的透过率进行评估。测试结果显示, 截止区(0.5~0.68 μm和0.73~0.79 μm)平均截止深度分别达到了12.57%和20.39%, 通带0.83~0.87 μm波段内的平均透过率达到了91.35%, 样品测试曲线与设计相比, “蓝移”将近10 nm。薄膜样品基本实现了设计目标, 具有双波段截止、高通带透过率的特性。在环境测试中: 薄膜表现出显著的稳定性, 膜层间匹配度适宜。该双波段截止分色滤光片能够应用在一些极端的情况下。

晕苯是一种用于真空紫外光致发光重要的下转换材料。 本文研究旋涂法和热蒸发法制备紫外CCD用晕苯薄膜的工艺方法, 并对所制备的两种薄膜的性能进行了表征和对比。 测试结果表明: 旋涂方式成膜工艺简单, 材料利用率较高, 并且保持了荧光材料本身固有的晶体结构, 但是膜面粗糙度较大; 热蒸发方式成膜后紫外吸收较强, 荧光发射强度相对较高, 成膜后膜面粗糙度较小; 热蒸发工艺在加热过程中改变了晕苯的晶体结构并形成了新的结晶态; 相比于旋涂法, 热蒸发的整个制备工艺相对复杂, 并且生产成本较高。 此外, 该对比性研究工作为实现不同要求（如荧光发射强度、 表面粗糙度、 生产成本等）的荧光下转换薄膜的制备提供了理论指导。

以ZF6为基底, 采用电子束蒸发物理气相沉积方法设计并制备了一种增透波长为04~08 μm的宽谱带可见光区增透膜。薄膜材料仅含有TiO2和SiO2两种材料, 分别作为高低折射率材料。利用Edinburgh光谱仪对双面镀制该膜系样品的透过率进行测量, 测试结果表明: 薄膜平均透过率达9815%, 实际样品的光学特性与设计结果基本相符, 具有宽带的增透特性, 减少了表面剩余反射。机械强度与环境测试表明: 制备的薄膜具有良好的稳定性和牢固度, 可以应用于可靠性要求较高的光学系统中。

通过物理气相沉积方法在镀金的硅基片上制备了ZnxCd1-xS纳米棒, 并用VLS机制对生长机理进行了讨论。XRD分析表明产物是六方相的结晶体; SEM观察到纳米棒的长度为3~4微米, 直径约为40纳米。PL谱显示有明显的红移现象, 分析认为是由于ZnS对CdS晶格的轻微不匹配造成的, 同时PL谱的峰型显示产物为ZnxCd1-xS, 而不是两者的混合物。该制备方法可以应用于其它三元金属硫化物的制备。

以 ZnSe为基底设计了一种宽带红外分束镜, 透射和反射比为 50/50, 工作波长可达到 3～13 μm, 工艺实现采用了电子束蒸发物理气相沉积的方法, 薄膜材料仅含有 ZnSe和 Ge。利用了 Spectrum GX红外傅立叶变换光谱仪对该分束镜的透过率进行测量, 测试结果表明该分束镜的平均透过率约为 50%, 具有宽带的分束特性, 与设计结果基本相符。环境测试表明：薄膜具有良好的稳定性和牢固度。该分束器可以应用于可靠性要求比较高的环境中。

从理论、实验两方面对薄膜的激光损伤机理和提高损伤阈值的手段进行了回顾。概括了现有理论模型及其适用范围, 对缺陷的行为进行了多方面的论述, 重点比较了各种制备方法及后处理手段的特点, 分析了主要工艺参数对薄膜损伤阈值的影响。结合本实验室及国内外同行的工作, 对溶胶-凝胶法制备高损伤阈值薄膜的工艺进行了总结。从吸收、热传导、抗拉强度等角度对物理膜和化学膜在结构与性能上进行了比较, 提出了从化学键、成膜过程等方面分析损伤机理的建议, 并结合真空污染、亚表面损伤等新问题提出了未来工作的发展方向。