为了研究多步旋涂法制备的CsPbBr3薄膜的光学常数，以溴化铅和溴化铯为原料，采用多步旋涂法在硅和FTO衬底上制得CsPbBr3薄膜。利用光弹调制式椭偏光谱仪对硅衬底上的薄膜进行了椭偏光谱分析，使用Tanguy和Tauc-Lorentz 3组合模型对变角度的椭偏光谱进行参数拟合，得到了薄膜光学常数在1.00 eV~5.00 eV范围内的色散关系，并利用荧光发射光谱、吸收谱验证椭偏拟合结果。结果表明，多步旋涂法制备的CsPbBr3薄膜的光学常数与其它方法相比具有一定的差异性，其中折射率可能与薄膜表面粗糙度呈负相关; 椭偏拟合所得带隙为2.3 eV，验证了荧光光谱、吸收谱的计算结果。该研究为多步旋涂法制备的CsPbBr3薄膜椭偏光谱拟合分析提供了参考。

运用溶胶改性和溶剂置换的方法制备以癸烷为溶剂的SiO₂溶胶,通过单面旋涂方法在方形50 mm×50 mm×10 mm 的KDP晶体基片上制备均匀性良好的膜层。使用分光光度计测试涂膜的晶体基片,涂制三倍频及基频二倍频减反膜的KDP晶体基片在378 nm和835 nm处的透过率峰值均大于99.5%,膜层减反射效果良好。结合过滤技术及超声波清洗技术实现了膜层制备过程中的缺陷控制,将经过缺陷控制的三倍频减反膜涂制在洁净度高的熔石英陪涂片上,并在测试前进行激光(波长为355 nm,脉宽为3 ns)预处理,得到的三倍频减反膜的抗激光损伤阈值为(14.0±2.1) J·cm ^-2。

采用溶液旋涂法在平面异质结型钙钛矿电池中引入氧化石墨烯（Graphene oxide, GO), 制备了GO、GO∶(PEDOT: PSS) 复合薄膜和GO/PEDOT∶PSS双层薄膜作为空穴传输层的电池, 其光电转换效率分别为1.86%、7.35%、7.69%, 基于PEDOT∶PSS空穴传输层的对照电池的效率为7.38%.主要原因是GO具有绝缘性, 作为阳极界面层时, 随着GO薄膜厚度增加, 器件的串联电阻增大, 从而降低了电池的短路电流和效率.为提高GO导电性, 并改善其功函数, 将GO氨化改性后与PEDOT: PSS组合构成双空穴传输层, 所得电池取得了7.69%的较高效率, 表明该方式是GO用于钙钛矿电池空穴传输层的有效途径.

“智能窗”大规模推广顺应可持续发展潮流, 三氧化钨(WO3)是生产“智能窗”的一种重要电致变色材料, 但调控WO3薄膜电致变色性能机制仍待进一步研究。采用旋涂法制备WO3薄膜, 重点研究了溶液浓度和旋涂次数对调控WO3薄膜电致变色性能的影响。通过表面轮廓仪测量薄膜厚度, X射线衍射(XRD)测量薄膜结晶情况, 原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜表面形貌, 光谱仪测量薄膜初始态、着色态和褪色态的透射率。实验结果表明, 随着溶液浓度增加(0.2~1.0 mol/L), 薄膜厚度从9.7 nm增加到33.3 nm,透射率调制能力从0%提升到37.0%; 多次旋涂薄膜厚度线性增长, 线性拟合优度(R2)达0.98, 5次旋涂后透射率调制能力达51.3%。改变溶液浓度和旋涂次数都是调控薄膜透射率调制能力的有效手段, 精准调控薄膜透射率调制能力对设计不同应用场景的电致变色器件具有重大意义。

采用旋涂法在玻璃基底上制备SnO2薄膜, 通过原子力显微镜(AFM)、X射线反射(XRR)、傅氏转换红外线光谱仪(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针、开尔文探针系统对薄膜的表面形貌、结构及光学特性、电学特性进行分析, 探讨了退火温度对薄膜质量的影响及作用机制。研究发现: 随着退火温度升高, 薄膜厚度和有机成分杂质减小, 薄膜密度递增, 但薄膜表面粗糙度有所上升; 当退火温度升高至500 ℃时, 薄膜结构由非晶转变为结晶, 其主要晶面为氧化锡的(110)、(101)和(211)晶面。旋涂法制备的氧化锡薄膜在可见光区域的平均透光率在90%以上, 随着退火温度上升, 薄膜在400~800 nm波段的透光率先减小后增大, 薄膜的带隙宽度分别为3.840 eV(沉积态薄膜)、3.792 eV(100 ℃)、3.690 eV(300 ℃)和3.768 eV(500 ℃); 薄膜的电导率也随着退火温度升高而增加, 在500 ℃时电导率高达916 S/m; 薄膜的功函数先增大后减小, 分别为(4.61±0.005) eV(沉积态薄膜)、(4.64±0.005) eV(100 ℃)、(4.82±0.025) eV(300 ℃)、(4.78±0.065) eV(500 ℃)。

在硅基探测器的入射窗上制备荧光下转换薄膜, 是一种有效降低成本的紫外荧光增强技术。 从理论上探讨了由聚二甲基硅氧烷与颜料黄101混合胶体的紫外荧光薄膜旋涂工艺参数与性能之间关系, 搭建紫外荧光薄膜应用于光谱分析的性能测试实验平台, 对紫外荧光增强薄膜旋涂工艺参数质量配比、 旋涂转速进行优化。 光谱分析探测器有两个主要指标, 光谱响应灵敏度和光谱分辨率, 分析与实验结果表明, 利用旋涂法制备紫外增强荧光薄膜, 旋涂转速将直接影响薄膜的厚度、 表面粗糙度和荧光物质的分布, 从而影响光谱分析系统的分辨率; 紫外荧光增强薄膜的增强效率与荧光溶剂聚二甲基硅氧烷与荧光物质颜料黄101的质量比密切相关, 质量比低无法满足对紫外响应效率的提高, 但高质量比, 荧光物质处在聚集态荧光自猝灭严重, 也不利于增强薄膜的紫外响应效率。 最终, 在薄膜旋涂工艺优化的基础上, 旋涂转速2 500～3 000 r·min-1, 荧光物质与荧光溶剂质量比为7∶100制备出紫外荧光增强薄膜。 汞灯特征光谱测试结果表明该薄膜313 nm紫外波长处探测响应灵敏度提高了1.6倍左右, 对比分析镀膜前后特征光谱的半波带宽, 镀制紫外增强荧光薄膜对其影响很小。

采用旋涂法制备了多层聚乙二醇/二氧化钛(PEG/TiO2)一维光子晶体膜,通过控制旋涂时间、旋涂速度和聚乙二醇溶液质量浓度,制备出具有不同光子禁带的PEG/TiO2一维光子晶体膜.制备的PEG/TiO2膜对有机溶剂二甲亚砜(DMSO)和强碱溶液有双重响应.

晕苯是一种用于真空紫外光致发光重要的下转换材料。 本文研究旋涂法和热蒸发法制备紫外CCD用晕苯薄膜的工艺方法, 并对所制备的两种薄膜的性能进行了表征和对比。 测试结果表明: 旋涂方式成膜工艺简单, 材料利用率较高, 并且保持了荧光材料本身固有的晶体结构, 但是膜面粗糙度较大; 热蒸发方式成膜后紫外吸收较强, 荧光发射强度相对较高, 成膜后膜面粗糙度较小; 热蒸发工艺在加热过程中改变了晕苯的晶体结构并形成了新的结晶态; 相比于旋涂法, 热蒸发的整个制备工艺相对复杂, 并且生产成本较高。 此外, 该对比性研究工作为实现不同要求（如荧光发射强度、 表面粗糙度、 生产成本等）的荧光下转换薄膜的制备提供了理论指导。

在聚苯乙烯(PS)-聚乙烯醇(PVA)-碳氢聚合物(CH)三层球的设计中制备PVA涂层的方法主要包括乳液微封装法、炉内成球涂层法、浸(旋)涂法、界面缩聚法及喷涂法等，前三种方法目前最为常用。总结了前三种制备PVA涂层方法的优缺点及目前的研究和制备现状。乳液微封装法适合于500 μm以下小尺寸双层球的制备，具有微球成活率高、产品质量较好等优点，但制备过程受人为因素影响较大，且不易制备大直径双层球。炉内成球涂层法也适用于小尺寸双层球的制备，其制备周期短，但液滴发生器的设计苛刻，PVA层的均匀性差，且不易制得较大尺寸的双层球。浸(旋)涂法可制备1000 μm以上的大直径双层球，但该方法中影响PVA涂层铺展的因素较多，得到的PVA涂层均匀性较差，且涂层很薄。