热蒸发法是实现钙钛矿发光二极管商业化显示应用的可靠技术。然而，热蒸发沉积的钙钛矿薄膜的PLQY经常较低，并且钝化手段不如溶液法丰富。本文报道了一种通过原位共蒸技术将钝化剂引入钙钛矿层的方法，这种方法能够钝化真空沉积钙钛矿中的缺陷，增强辐射复合，并提高钙钛矿的PLQY。氧膦基团与不饱和位点形成配位络合，钝化了钙钛矿的晶界缺陷，并抑制了带尾态缺陷。基于最佳比例的钙钛矿薄膜所制备的LED器件表现出最大6.3%的EQE，最大亮度为35 642 cd/m²。更进一步地，基于全真空的器件制备工艺，获得了最大EQE为5.0%的312 ppi高分辨率PeLEDs。总之，本文为热蒸发PeLEDs的缺陷钝化提供了有用的指导，证明热蒸发PeLEDs在效率和亮度提升方面具有巨大潜力，并具备商业化前景。

金属材料薄膜的光学常数会随膜层厚度发生变化，从而导致薄膜的光谱特性也发生变化。在制备工艺中，不论是热蒸发工艺还是溅射工艺，Ni80Cr20（简称镍铬）薄膜在较“薄”和较“厚”的时候光谱中性度都较差，并且其光谱特性趋势相反。理论计算结果表明，增加镍铬合金中Cr（铬）的比份可以提高“薄”膜的中性度，而“厚”膜则需要提高Ni（镍）的比份。针对光谱特性相反的“薄”膜和“厚”膜，分别提出了“有意分馏”和增加镍的比例的方法来改善光谱的中性度。试验结果表明：为改善膜层的中性度，低密度时可采用“有意分馏”的热蒸发工艺来提高膜层中铬的含量；而高密度时则可以镀制纯镍。“有意分馏”的热蒸发工艺可将光谱中性度提升至1.8%；纯镍工艺可将OD4的光谱中性度提升至4.6%。所提出的改进的镀膜工艺是有效的，并为光谱检测、光纤通讯、摄影摄像等应用领域的衰减片制备工艺的改进提供了参考。

在氟化钡光学元件上设计并制备多谱段减反射薄膜是提升光电系统探测性能的关键。在氟化钡基底上设计并制备了1064 nm激光/长波红外双谱段减反射薄膜。基于周期对称结构膜系导纳计算方法，以及拟合膜层周期数与参考波长的优化算法，开展了复合谱段减反射薄膜初始膜系的设计方法研究。使用热蒸发离子束辅助沉积方法制备了多层减反射薄膜。测试结果表明，该薄膜在1064 nm处透射率为94.0%，在8~12 μm长波红外谱段平均透射率为96.3%，在8.2 μm处的透射率高达99.4%。该激光/长波红外双谱段减反射薄膜具有良好的光学性能，可以应用于多模复合精确探测光电装备之中，对于提升探测系统的工作性能具有重大意义。

利用光刻掩模和热蒸发沉积技术制备兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件，实现3~5 μm波段红外信号高效增透，且能屏蔽12~18 GHz频段的电磁波信号.通过光刻掩模和真空热蒸发沉积技术在双面抛光Si基底上制备满足要求的十字交叉对称金属网栅结构，通过离子束辅助电子束热蒸发沉积技术制备3~5 μm波段高效增透的红外膜.为进一步改善金属网栅的透射率，在周期g为550 μm，不同线宽的金属网栅薄膜上沉积红外增透膜.结果表明：通过真空式傅里叶变换红外光谱仪测试得红外膜样片在3~5 μm的峰值透射率为99.8%，平均透射率为99.3%.矢量网络分析仪测试金属网栅12~18 GHz频段的电磁屏蔽效能，得到兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件在12~18 GHz频段内总体电磁屏蔽效能优于27 dB，3~5 μm红外波段的峰值透射率为86.3%，平均透射率为86.1%.金属网栅薄膜上镀制增透膜在保证电磁屏蔽效能不变（≥27 dB）的前提下，网栅光谱（透射率）提高了37.6%（网栅周期g为550 μm，线宽2a为30 μm）.屏蔽效能的改善既可以通过调整网栅的周期和线宽，也可以选择电阻率较低的基底材料实现.