刘念 1罗家俊 1,*杜培培 2刘征征 3,4[ ... ]唐江 1,**
作者单位
摘要
1 华中科技大学 武汉光电国家研究中心, 湖北 武汉 430074
2 华中科技大学 集成电路学院, 湖北 武汉 430074
3 国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院, 浙江 杭州 310024
4 中国科学院 上海光学精密机械研究所, 强场激光物理国家重点实验室, 上海 201800
热蒸发法是实现钙钛矿发光二极管商业化显示应用的可靠技术。然而,热蒸发沉积的钙钛矿薄膜的PLQY经常较低,并且钝化手段不如溶液法丰富。本文报道了一种通过原位共蒸技术将钝化剂引入钙钛矿层的方法,这种方法能够钝化真空沉积钙钛矿中的缺陷,增强辐射复合,并提高钙钛矿的PLQY。氧膦基团与不饱和位点形成配位络合,钝化了钙钛矿的晶界缺陷,并抑制了带尾态缺陷。基于最佳比例的钙钛矿薄膜所制备的LED器件表现出最大6.3%的EQE,最大亮度为35 642 cd/m2。更进一步地,基于全真空的器件制备工艺,获得了最大EQE为5.0%的312 ppi高分辨率PeLEDs。总之,本文为热蒸发PeLEDs的缺陷钝化提供了有用的指导,证明热蒸发PeLEDs在效率和亮度提升方面具有巨大潜力,并具备商业化前景。
钙钛矿发光二极管 热蒸发 缺陷钝化 像素化 perovskite light-emitting diodes thermal evaporation defect passivation patterning 
发光学报
2024, 45(1): 1
作者单位
摘要
1 
2 华北光电技术研究所,北京100015
锑化铟的电极因三维特性易产生侧壁断裂问题,互联的铟柱会侵入电极内部,影响锑化铟芯片的可靠性。使用离子束溅射沉积、热蒸发、磁控溅射等方法制备三维电极体系,并通过聚焦离子束(Focused Ion Beam, FIB)方法以及扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)对其进行表征。结果表明,通过热蒸发、磁控溅射制备的电极三维覆盖情况较好,但存在电极脱落和剥离困难的问题;离子束溅射沉积方法可通过改变沉积角度、移除修正挡板来实现锑化铟三维电极的高质量制备。
锑化铟 三维电极体系 热蒸发 磁控溅射 离子束溅射沉积 InSb three-dimensional electrode system thermal evaporation magnetron sputtering ion beam sputtering deposition 
红外
2023, 44(6): 0007
作者单位
摘要
1 宁波大学材料科学与化学工程学院, 宁波 315211
2 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 石墨烯工程实验室, 宁波 315201
在石墨烯的化学气相沉积工艺中, 铜箔是决定石墨烯薄膜质量的重要因素。传统铜箔由于制备工艺的限制, 存在大量的缺陷, 导致石墨烯薄膜的成核密度较高。本工作选用抛光铝板、抛光不锈钢板、微晶玻璃和SiO2/Si作为基材, 用热蒸镀法制备了不同粗糙度的铜箔, 并详细讨论了以该系列铜箔生长高平整度石墨烯薄膜的条件及铜箔对石墨烯薄膜品质的影响。实验结果表明, 铜箔以(111)取向为主, 与基材分离后, 表面具有纳米级平整度。在生长石墨烯后, 从SiO2/Si剥离的铜箔成核密度是4种基材中最小的。同时, 从SiO2/Si剥离的铜箔晶体结构变化最不明显, 具有良好的结晶性, 表面几乎不存在铜晶界缺陷。当压强为3 000 Pa, 氢气和甲烷流速分别为300 mL/min和0.5 mL/min时, 可以获得约1 mm横向尺寸的石墨烯单晶晶畴。
石墨烯薄膜 高平整度 抛光基材 热蒸镀 SiO2/Si基材 铜箔 成核密度 graphene film high flatness polished substrate thermal evaporation SiO2/Si substrate Cu foil nucleation density 
人工晶体学报
2022, 51(11): 1903
作者单位
摘要
沈阳仪表科学研究院有限公司,辽宁 沈阳 110043
金属材料薄膜的光学常数会随膜层厚度发生变化,从而导致薄膜的光谱特性也发生变化。在制备工艺中,不论是热蒸发工艺还是溅射工艺,Ni80Cr20(简称镍铬)薄膜在较“薄”和较“厚”的时候光谱中性度都较差,并且其光谱特性趋势相反。理论计算结果表明,增加镍铬合金中Cr(铬)的比份可以提高“薄”膜的中性度,而“厚”膜则需要提高Ni(镍)的比份。针对光谱特性相反的“薄”膜和“厚”膜,分别提出了“有意分馏”和增加镍的比例的方法来改善光谱的中性度。试验结果表明:为改善膜层的中性度,低密度时可采用“有意分馏”的热蒸发工艺来提高膜层中铬的含量;而高密度时则可以镀制纯镍。“有意分馏”的热蒸发工艺可将光谱中性度提升至1.8%;纯镍工艺可将OD4的光谱中性度提升至4.6%。所提出的改进的镀膜工艺是有效的,并为光谱检测、光纤通讯、摄影摄像等应用领域的衰减片制备工艺的改进提供了参考。
中性密度滤光片 中性度 镍铬合金 热蒸发 分馏 溅射 neutral density filters neutrality nickel-chromium alloy thermal evaporation fractionation sputtering 
光学仪器
2022, 44(3): 56
李子杨 1,2刘华松 1,2孙鹏 1,2杨霄 1,2[ ... ]苏建忠 1,2
作者单位
摘要
1 天津津航技术物理研究所 天津市薄膜光学重点实验室,天津 300308
2 王之江激光创新中心,天津 300308
在氟化钡光学元件上设计并制备多谱段减反射薄膜是提升光电系统探测性能的关键。在氟化钡基底上设计并制备了1064 nm激光/长波红外双谱段减反射薄膜。基于周期对称结构膜系导纳计算方法,以及拟合膜层周期数与参考波长的优化算法,开展了复合谱段减反射薄膜初始膜系的设计方法研究。使用热蒸发离子束辅助沉积方法制备了多层减反射薄膜。测试结果表明,该薄膜在1064 nm处透射率为94.0%,在8~12 μm长波红外谱段平均透射率为96.3%,在8.2 μm处的透射率高达99.4%。该激光/长波红外双谱段减反射薄膜具有良好的光学性能,可以应用于多模复合精确探测光电装备之中,对于提升探测系统的工作性能具有重大意义。
光学薄膜 双谱段减反射 膜系设计 热蒸发离子束辅助沉积 optical thin-film dual-band antireflection thin-film thin-film design thermal evaporation ion-assisted deposition 
红外与激光工程
2022, 51(3): 20210944
作者单位
摘要
1 Sargent Joint Research Center, Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO), School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
2 China-EU Institute for Clean and Renewable Energy (ICARE), Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
3 State Research Institute, Center for Physical Sciences and Technology, Vilnius 02300, Lithuania
Cadmium selenide (CdSe) belongs to the binary II-VI group semiconductor with a direct bandgap of ~1.7 eV. The suitable bandgap, high stability, and low manufacturing cost make CdSe an extraordinary candidate as the top cell material in silicon-based tandem solar cells. However, only a few studies have focused on CdSe thinfilm solar cells in the past decades. With the advantages of a high deposition rate (~2 μm/min) and high uniformity, rapid thermal evaporation (RTE) was used to maximize the use efficiency of CdSe source material. A stable and pure hexagonal phase CdSe thin film with a large grain size was achieved. The CdSe film demonstrated a 1.72 eV bandgap, narrow photoluminescence peak, and fast photoresponse. With the optimal device structure and film thickness, we finally achieved a preliminary efficiency of 1.88% for CdSe thin-film solar cells, suggesting the applicability of CdSe thin-film solar cells.
cadmium selenide (CdSe) rapid thermal evaporation (RTE) solar cells thin film 
Frontiers of Optoelectronics
2021, 14(4): 482–490
作者单位
摘要
西安工业大学 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安 710021
利用光刻掩模和热蒸发沉积技术制备兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件,实现3~5 μm波段红外信号高效增透,且能屏蔽12~18 GHz频段的电磁波信号.通过光刻掩模和真空热蒸发沉积技术在双面抛光Si基底上制备满足要求的十字交叉对称金属网栅结构,通过离子束辅助电子束热蒸发沉积技术制备3~5 μm波段高效增透的红外膜.为进一步改善金属网栅的透射率,在周期g为550 μm,不同线宽的金属网栅薄膜上沉积红外增透膜.结果表明:通过真空式傅里叶变换红外光谱仪测试得红外膜样片在3~5 μm的峰值透射率为99.8%,平均透射率为99.3%.矢量网络分析仪测试金属网栅12~18 GHz频段的电磁屏蔽效能,得到兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件在12~18 GHz频段内总体电磁屏蔽效能优于27 dB,3~5 μm红外波段的峰值透射率为86.3%,平均透射率为86.1%.金属网栅薄膜上镀制增透膜在保证电磁屏蔽效能不变(≥27 dB)的前提下,网栅光谱(透射率)提高了37.6%(网栅周期g为550 μm,线宽2a为30 μm).屏蔽效能的改善既可以通过调整网栅的周期和线宽,也可以选择电阻率较低的基底材料实现.
电磁屏蔽 红外 真空热蒸发 金属网栅 减反膜 透射率 屏蔽效能 Electromagnetic shielding Infrared Vacuum thermal evaporation Metal mesh Anti-reflection film Transmittance Shielding effectiveness 
光子学报
2020, 49(10): 1031002
作者单位
摘要
上海师范大学数理学院,上海 200234
以商业化蝴蝶翅膀为衬底,采用真空热蒸发技术沉积银薄膜,制备银薄膜/蝶翅基底。结合X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了银薄膜/蝶翅的微观结构及表面形貌。选择罗丹明6G(R6G)为探针分子,对不同品种蝶翅/银薄膜基底的表面增强拉曼散射(SERS)活性进行研究。半定量分析了R6G溶液浓度和银薄膜厚度对基底SERS性能的影响。分别在银薄膜/枯叶蝶和银薄膜/太阳蛾基底表面随机选取十二个不同位置,特征峰604、1349和1507 cm-1处强度的相对标准偏差值分别为5.30%、6.86%、5.58%和4.36%、3.21%、3.35%,表明银薄膜/蝶翅基底表面具有良好的均匀性。
表面增强拉曼散射 真空热蒸发技术 蝶翅 银薄膜 罗丹明6G Surface enhanced Raman scattering Vacuum thermal evaporation method Butterfly wings Silver thin film Rhodamine 6G 
光散射学报
2019, 31(3): 266
作者单位
摘要
西安工业大学 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室, 西安 710072
以双抛Si片为基底, 采用离子束辅助热蒸发沉积技术研制了1.2~3 μm波段激光薄膜滤光片.采用长波通滤光片与减反射膜相结合的薄膜样品设计方法, 高、低折射率材料分别选用ZnS和MgF2, 综合考虑光谱特性和电场强度分布, 使用TFCale膜系软件设计出1.064 μm高反、1.2~3 μm波段增透的长波通滤光片.长波通膜系膜系结构为G|4H2L1.5H2L2H1.5L2H4L|A, 减反射膜膜系结构为G|3.5H3.5L|A.最终实现1.2~3 μm波段峰值透过率达98.48%, 平均透过率为92.35%, 1.064 μm处透过率为5.09%的光谱特性.对薄膜样品分别采用离子束处理和退火处理, 发现适当的工艺参数, 有助于提高薄膜激光损伤阈值, 当退火温度为250℃时, 其激光损伤阈值可达6.3 J/cm2.本文研究可为近红外薄膜滤光片设计和制备提供参考.
近红外薄膜 离子束辅助热蒸发沉积 激光损伤阈值 电场强度 后续处理 Near infrared film Ion beamassisted thermal evaporation deposition Laser induced damage threshold Electric field intensity Posttreatment 
光子学报
2019, 48(9): 0931001
作者单位
摘要
西安工业大学 光电工程学院,陕西 西安 710021
为了探究二氧化钛(TiO2)薄膜表面粗糙度的影响因素,利用离子束辅助沉积电子束热蒸发技术对不同基底粗糙度以及相同基底粗糙度的K9玻璃完成二氧化钛(TiO2)光学薄膜的沉积。采用TalySurf CCI非接触式表面轮廓仪分别对镀制前基底表面粗糙度和镀制后薄膜表面粗糙度进行测量。实验表明,TiO2薄膜表面粗糙度随着基底表面的增大而增大,但始终小于基底表面粗糙度,说明TiO2薄膜具有平滑基地表面粗糙的作用;随着沉积速率的增大,薄膜表面粗糙度先降低后趋于平缓;对于粗糙度为2 nm的基底,离子束能量大小的改变影响不大,薄膜表面粗糙度均在1.5 nm左右;随着膜层厚度的增大,薄膜表面粗糙度先下降后升高。
光学薄膜 二氧化钛 表面粗糙度 电子束热蒸发 thin film titanium dioxide (TiO2) surface roughness electron beam thermal evaporation technique 
应用光学
2018, 39(3): 400

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