作者单位
摘要
中国计量大学 光电材料与器件研究所, 浙江 杭州  310018
Er3+的上转换性能强烈依赖局部位置对称畸变。在本研究中,采用高温固相法制备了La2Mg(1-wZnwTiO6xEr3+x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10;w=0,0.3,0.5,0.7,1.0)系列荧光粉。基于XRD精修,Zn2+的掺杂改变了La2MgTiO6晶体的配位环境,晶相由Pbnm转变为P21/n。在980 nm激光激发下,样品上转换荧光强度随Er3+离子浓度改变,当Er3+离子浓度为x=0.06时样品的上转换荧光强度最强。基于荧光强度比技术研究了样品La2Mg(1-wZnwTiO6xEr3+x=0.06;w=0,0.3,0.5,0.7,1.0)在303~583 K温度范围内的上转换荧光温度传感特性。实验结果表明,灵敏度随着Mg2+和Zn2+掺杂浓度比例的改变而改变,在w=1.0时达到最大绝对灵敏度0.90%·K-1,说明Zn2+的掺杂提高了La2MgTiO6的灵敏度。
Er3+掺杂 荧光粉 荧光性能 温度传感 Er3+ doping fluorescent powder fluorescence properties temperature sensing 
发光学报
2022, 43(10): 1552
庹娟 1,2,3叶颖 1,2,3赵海琴 1,2,3王林香 1,2,3
作者单位
摘要
1 新疆师范大学 物理与电子工程学院, 新疆 乌鲁木齐 830054
2 新疆师范大学 新疆矿物发光材料及其微结构实验室, 新疆 乌鲁木齐 830054
3 新疆师范大学 物理学重点学科, 新疆 乌鲁木齐 830054
用高温固相法制备了Li+, Na+共掺(YxGdyLu1-x-y)2O3∶0.5%Pr3+荧光粉末。用XRD对样品进行结构表征, 用扫描电镜观测了样品的形貌, 测量了样品的激发光谱、发射光谱及发光衰减曲线。结果显示, Li+、Na+和Pr3+的掺杂没有引起(YxGdyLu1-x-y)2O3立方晶相结构的改变。在单一基质中掺杂的Li+、Na+可有效改善晶粒尺寸, 在复合基质中掺杂的Li+、Na+, 不仅可以有效改善晶粒尺寸, 还使得样品有陶瓷化的趋势。在272 nm激发下, 粉末样品在632 nm处均呈现较强的Pr3+红色发射。不同条件下, 1 000 ℃煅烧2 h获得的(Y0.05Gd0.05Lu0.9)2O3∶0.5%Pr3+, 2.5%Li+, 1%Na+荧光粉末的发光最强, 且荧光寿命较短。
荧光粉末 Li+, Na+共掺(YxGdyLu1-x-y)2O3∶0.5%Pr3+ 发光强度 荧光寿命 fluorescent powder Li+ and Na+ co doped (YxGdyLu1-x-y)2O3∶05%Pr3 luminous intensity fluorescence lifetime 
中国光学
2019, 12(6): 1279
作者单位
摘要
新疆师范大学物理与电子工程学院物理系, 新疆矿物发光材料及其微结构实验室, 新疆 乌鲁木齐 830054
采用高温固相法制备了BaAl2Si2O8∶Tb3+, Ce3+系列的荧光材料, 讨论了Tb3+, Ce3+单掺及Tb3+, Ce3+共掺样品的光谱性质及发光机理, 分析了Ce3+与Tb3+之间的能量传递过程。 通过对样品进行XRD, 荧光光谱, 色坐标等测试。 结果表明, Tb3+, Ce3+的掺杂没有改变BaAl2Si2O8晶体的结构。 BaAl2Si2O8∶Tb3+发出明亮的绿光, 发光峰分别位于487, 545, 583和621 nm对应于Tb3+的5D4→7FJ(J=6, 5, 4, 3)特征发射。 Ce3+的掺入没有改变BaAl2Si2O8∶Tb3+发射光谱的位置, 但使其激发谱由窄带激发变成了宽带激发增加了谱带多样性, 发光强度有了明显的增强, 而且颜色也具有一定的协调性, 使其在实际运用方面具有更大的灵活性。 发光强度增强的原因不仅仅是因为Ce3+的敏化作用, 还与Ce3+和Tb3+之间存在能量传递有密切关系。 通过猝灭法计算了, Ce3+与Tb3+之间的能量传递的临界距离为15.345 nm, 并且证明了能量传递是由偶极-偶极相互作用产生的。 通过计算得到能量传递效率最高达到了76.04%。
谱带多样性 绿色荧光粉 能量传递 BaAl2Si2O8∶Tb3+ BaAl2Si2O8∶Tb3+ Ce3+ Ce3+ Spectral band diversity Green fluorescent powder Energy transfer 
光谱学与光谱分析
2017, 37(5): 1595
作者单位
摘要
1 中山大学化学与化学工程学院, 广东 广州 510275
2 湛江师范学院化学科学与
合成了新的配合物EuL3phen, [HL=4,4,4-三氟-1-(4’-间三联苯基)-1,3-丁二酮, phen=邻菲咯啉]。 采用元素分析, 红外光谱, 质谱对该配合物的结构进行了表征。 该化合物在半导体InGaN芯片发出的近紫外光激发下, 发出铕(Ⅲ)离子5D0—7FJ(J=0~4)跃迁特征红光, 最大发射峰位于613 nm, 发光量子效率为13%。 配合物寿命为 470 μs, 寿命曲线很好地和单指数衰减拟合曲线相吻合。 配合物热稳定性达到220 ℃, 满足制备LED器件的要求。 将配合物EuL3phen和半导体395 nm发射InGaN芯片组合, 成功地制备了红色发光二极管。发光二极管的色坐标、 发光效率、 配合物和硅胶质量比相关, 在配合物和硅胶质量比为1∶25时, 器件色坐标为x=0.64, y=0.35, 光效为 0.89 lm?W-1。 该配合物是充当制作白光LED用的潜在的红色发光组分。-1-(4’-m-Terphenyl)-1,3-Butanedione and 1,10-Phenanthroline
铕配合物 化学合成 荧光 发光二极管 Europium complex Chemical synthesis Fluorescent powder 
光谱学与光谱分析
2010, 30(3): 612

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