赵智炎 1,2冯昱森 2罗子艺 1,*蔡得涛 1[ ... ]于颜豪 2,**
作者单位
摘要
1 广东省科学院中乌焊接研究所,广东省现代焊接技术重点实验室,广东 广州 510650
2 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林 长春 130012
3 北京大学东莞光电研究院,广东 东莞 523808
金刚石作为一种具有独特优异性能的半导体材料,在光学和电子学领域具有重要的应用价值。目前生长金刚石最常用的方法是化学气相沉积(CVD)法,采用该方法制备的金刚石薄膜通常为多晶结构,表面粗糙度高、颗粒大的缺点制约了金刚石薄膜的应用。笔者提出了飞秒-纳秒-离子束刻蚀的复合抛光方法并采用该方法对CVD金刚石薄膜进行抛光。结果表明:经飞秒-纳秒激光刻蚀后,金刚石表面粗糙度降低得十分明显,由未刻蚀时的4 μm降至0.5 μm左右,但表面出现了明显的石墨化现象;进一步采用离子束刻蚀去除表面的石墨层,最低可将表面粗糙度降至0.47 μm。所提方法实现了金刚石表面的无改性平滑抛光,为金刚石表面微纳器件的发展奠定了基础。
超快激光 金刚石薄膜 激光抛光 离子束刻蚀 粗糙度 
中国激光
2024, 51(16): 1602210
作者单位
摘要
1 季华实验室,广东佛山528000
2 湖南大学 机械与运载工程学院 国家高效磨削工程技术研究中心,湖南长沙41008
提出并演示了利用宽束离子束刻蚀方法一次性对多个杠铃形金属纳米结构进行“横向抽减”,形成极小纳米间隙,从而实现多个金属纳米间隙结构的快速加工。利用电子束曝光定义图形化抗蚀剂结构,通过传统的金属沉积和湿法剥离将抗蚀剂图案转移至杠铃形金属纳米结构,最后使用宽束离子束刻蚀进行修剪。实验表明,精确控制刻蚀时间可以使杠铃形结构的两个纳米天线间的间隙距离达到10 nm以下,通过结合基于HSQ负性抗蚀剂的图案化工艺,可在HSQ纳米模板上制得悬空金属纳米间隙结构。利用表面结构形貌表征获得刻蚀过程中纳米结构的形态演变规律,并通过系统的实验和模拟验证了悬空金属间隙结构用于表面增强拉曼散射的优势。该方案为多个极小金属纳米间隙结构的一次成型提供了新的思路,在大面积拉曼传感衬底的低成本高效制备方面具有可观的应用前景。
离子束刻蚀 电子束曝光 金属纳米间隙 亚10 nm 拉曼检测 ion beam etching electron beam lithography metallic nanogaps sub-10 nm Raman detection 
光学 精密工程
2023, 31(1): 109
作者单位
摘要
1 长春理工大学 光电工程学院,长春 130022
2 长春理工大学中山研究院,广东 中山 528436
3 光驰科技(上海)有限公司,上海 200444
4 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033
为了提高窄带滤光膜的有效镀膜面积,用电子束与离子辅助沉积技术制备了大尺寸光通信滤光膜。利用离子束刻蚀原理修正膜层均匀性,研究了离子源参数对Ta2O5和SiO2两种材料膜层均匀性的影响;同时通过Macleod膜系设计软件对实验结果进行反演分析,改善了滤光膜通带波纹。最终制备的窄带滤光膜满足光通信技术要求,有效镀膜面积可达2 123 mm2
光学薄膜 光通信 离子束刻蚀 膜厚均匀性 密集波分复用 Optical thin films Optical communication Ion beam etching Film thickness uniformity Dense wavelength division multiplexing 
光子学报
2022, 51(12): 1216001
作者单位
摘要
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093
Ni80Cr20合金薄膜在可见光波段展现出很好的光学中性度。真空镀膜系统中石英晶振膜厚传感器的测量误差是导致薄膜的实际光密度值偏离设定值的主要原因。为此,提出了一种提高中性密度滤光片光密度值精度的制备方法,即采用真空镀膜结合离子束蚀刻技术,通过对镀膜和蚀刻参数的精确控制,实现对薄膜厚度的精密调控,将光密度值的相对误差控制在±2%以内,绝对误差不超过±0.01,使得薄膜的厚度调控量处于原子层尺度,满足了滤光片在高精度要求下光谱系统中的使用要求。同时验证了中性密度滤光片在离子束蚀刻微量减薄后,依旧拥有良好的光学性能和表面平整度,使得离子束轰击蚀刻薄膜技术成为一种新的且可靠的薄膜厚度微量调控方法。
中性密度滤光片 Ni80Cr20 光密度 离子束蚀刻 neutral density filter Ni80Cr20 optical density value ion beam etching 
光学仪器
2021, 43(6): 70
仲健魁 1,2黄元申 1,2,3,*倪争技 1,2,3徐邦联 1,2张大伟 1,2,3
作者单位
摘要
1 上海理工大学 教育部光学仪器与系统工程研究中心,上海 200093
2 上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室,上海 200093
3 上海光学仪器研究所,上海 200093
高衍射效率的凸面闪耀光栅是高光谱分辨率成像光谱仪的核心分光元件,其制作方法包括机械刻划法、电子束直写法、X射线光刻法、全息离子束刻蚀法等,其中全息离子束刻蚀法因为具备良好的各向异性,不受尺寸与曲面形状限制,杂散光低,完全没有鬼线,制造时间短等优点成为现今光栅制造领域常用方法之一。传统全息离子束刻蚀凸面光栅时基底的弯曲会导致槽形闪耀角的不一致性,并且在制作小闪耀角凸面光栅时基底表面会有部分区域无法被刻蚀和槽形曲面不连续的现象,而摆动刻蚀凸面闪耀光栅可以克服上述缺点。对全息离子束刻蚀方法制作凸面闪耀光栅多方面进行了综述。
凸面光栅 全息离子束刻蚀 闪耀角 convex grating holographic ion beam etching blazed angle 
光学仪器
2021, 43(3): 86
作者单位
摘要
1 上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海市现代光学系统重点实验室,上海 200093
2 上海光学仪器研究所,上海 200093
凸面光栅是Offner结构成像光谱仪的核心分光元件,制备出高衍射效率、高分辨率的凸面光栅是提高光谱仪成像质量,实现遥感探测的关键。介绍了目前凸面光栅的研究现状,讨论了设计与制作凸面闪耀光栅的主要方法。凸面光栅的设计方法采用严格耦合波理论对光栅进行衍射效率分析,制作方法主要包括:电子束直写法、X射线光刻法、机械刻划法以及全息离子束刻蚀法。鉴于全息离子束刻蚀法具有成本低、槽型可控、无鬼线等优点,详细介绍了利用该方法制备凸面光栅的工艺及相关研究报道。在接下来的工作中将不断优化和提高全息曝光光强分布的均匀性,改进摆动刻蚀装置旋转轴的可调性,优化离子束刻蚀工艺参数,以期制作出实用化的凸面闪耀光栅。
光学设计 凸面光栅 全息离子束刻蚀法 Offner成像光谱仪 
激光与光电子学进展
2021, 58(11): 1100002
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
2 火箭军装备部驻西安地区第三军事代表室, 陕西 西安 710100
采用离子刻蚀工艺对钽酸锂晶体材料进行刻蚀加工, 得到了反台面结构晶片, 其厚度约为31.3 μm, 可用于制作高基频晶体谐振器。应用该晶体谐振器, 在电路上采用差接桥型电路, 设计了一种高频宽带晶体滤波器, 其中心频率为63 MHz, 3 dB带宽为780 kHz, 阻带衰耗大于75 dB, 工作温度为-55~+95 ℃。结果表明, 采用离子刻蚀工艺能极大地提高晶体滤波器的工作频率上限。
晶体滤波器 离子刻蚀 钽酸锂 高基频 机电耦合系数 crystal filter ion beam etching lithium tantalate high fundamental frequency electromechanical coupling coefficient 
压电与声光
2020, 42(6): 761
作者单位
摘要
1 苏州大学 光电科学与工程学院 & 苏州纳米科技协同创新中心, 江苏 苏州 215006
2 江苏省先进光学制造技术重点实验室 & 教育部现代光学技术重点实验室, 江苏 苏州 215006
利用严格耦合波理论分析了用于520 nm波长飞秒激光制备光纤光栅的相位掩模的衍射特性, 当相位掩模是矩形槽形时, 占宽比在0.32~0.43之间, 槽形深度在0.57~0.67 μm之间时, 能够保证零级衍射效率抑制在2%以内, 同时±1级的衍射效率大于35%。在此基础上, 利用全息光刻-离子束刻蚀技术, 制作了用于520 nm波长飞秒激光的周期为1 067 nm、有效面积大于40 mm×30 mm的相位掩模。实际制作的相位掩模是梯形槽形, 槽深是0.665 μm, 分析了梯形槽形中梯形角对衍射效率的影响。实验测量表明, 该相位掩模的零级衍射效率小于2%, ±1级衍射效率大于40%,满足飞秒激光制作光纤光栅的需要。
全息光刻 相位掩模 严格耦合波理论 离子束刻蚀 衍射效率 holographic lithography phase mask rigorous coupled-wave theory ion beam etching diffraction efficiency 
光学 精密工程
2020, 28(4): 844
作者单位
摘要
西安工业大学光电工程学院, 陕西 西安 710032
在不同氪(Kr)离子束参数下,研究了微波回旋共振离子源对旋转蓝宝石样片表面的刻蚀效果。采用四因素三水平正交实验,分析了Kr +离子束的入射角度、离子束能量、束流密度、作用时间对辐照后蓝宝石表面结构的影响规律,研究了离子束参数与蓝宝石表面粗糙度、刻蚀速率的关系。实验结果表明:当离子束入射角度为60°、能量为600 eV、束流密度为239 μA·cm -2、作用时间为90 min时,样品表面的粗糙度最大,且形成的表面形貌具有明显的点状结构;在同样的离子束入射角度、能量和束流密度下,作用时间为30 min时,刻蚀速率最大,表面形貌点状结构密集。利用最优参数组合可得到良好的点状纳米结构、最优的粗糙度和刻蚀速率。
材料 低能离子束刻蚀 自组织纳米结构 粗糙度 刻蚀速率 表面形貌 
激光与光电子学进展
2019, 56(12): 121601
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院大学, 北京 100049
碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法, 并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4.8 μm的中波器件在17 V反向偏置下增益可达1000.对器件进行了噪声频谱测试, 计算了其过剩噪声因子.
雪崩光电二极管 离子束刻蚀 增益 过剩噪声因子 HgCdTe HgCdTe avalanche photo diode (APD) ion beam etching(IBE) gain escess noise factor 
红外与毫米波学报
2019, 38(2): 02223

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