薄膜晶体管光刻制程中，光刻胶光刻平面位置是决定光刻图形质量的关键因素。为了在光刻机最小分辨率条件下改善光刻图形质量，本文从光刻胶内反射光线的反射特点出发，以减小光刻胶内反射光线对非光刻区域的光刻光强及增加光刻区域的光刻胶底部光刻光强为基础，推导出光刻光线倾斜入射光刻胶平面时，光刻胶光刻平面位置调整量的计算公式，并以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面进行调整。结果表明：对于最小分辨率为3.0 μm 的投影光刻机，进行线间距为2.2 μm 的产品光刻时，以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面调整后，较未调整前，光刻图形坡度角提升了13.3%，光刻胶线宽或线间距宽度(DICD)均一性改善了14.7%，光刻图形光刻胶残留得到解决。

TFT线宽或线间距接近光刻机分辨率时，光刻图形容易产生光刻胶残留不良，为改善该问题，本文从光刻图形出发，以最佳光刻图形所在位置为基准，计算出光刻机光刻平面的优化补偿量，从而实现对光刻平面的补偿优化。首先，通过光刻机光刻平面的补偿量、基板载台平坦度及焦平面计算出光刻时光刻区域基板表面的高度值。然后，根据光刻区域内光刻图形状况找到最佳光刻区域位置，并以该位置为零点，计算出整个光刻区域相对于该位置的相对高度差值。其次，对光刻区域内的高度差值做平面拟合，计算出当拟合平面为垂直于 Z轴的水平面时所需要的补偿量，该补偿量即为光刻区域内光刻平面的优化补偿量。最后，以该补偿量对光刻平面进行补偿，从而使得光刻区域内光刻平面均趋于同一最佳光刻面。结果表明：光刻平面优化补偿后，光刻区域内光刻图形均能形成清晰的图形，光刻胶残留不良得到改善，同时光刻 DICD均值在目标值范围内减小了 1.38%，DICD均一性提高了 20%。

TFT光刻制程中, 光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上, 各区域的光刻程度不同, 严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析, 根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点, 推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时, 光刻系统中光刻平面所应处于的位置, 同时结合当前光刻系统焦平面的位置, 计算出光刻平面的调整量, 并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明: 对于极限分辨率为241 μm的投影光刻机, 要使厚0.52 μm的光刻胶段差内光强变化量为零, 光刻平面调整量为9.434 42 μm, 且对光刻平面调整后10 μm 后, 在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下, 可显著改善沟道长为2.5 μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。