薄膜晶体管光刻制程中，光刻胶光刻平面位置是决定光刻图形质量的关键因素。为了在光刻机最小分辨率条件下改善光刻图形质量，本文从光刻胶内反射光线的反射特点出发，以减小光刻胶内反射光线对非光刻区域的光刻光强及增加光刻区域的光刻胶底部光刻光强为基础，推导出光刻光线倾斜入射光刻胶平面时，光刻胶光刻平面位置调整量的计算公式，并以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面进行调整。结果表明：对于最小分辨率为3.0 μm 的投影光刻机，进行线间距为2.2 μm 的产品光刻时，以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面调整后，较未调整前，光刻图形坡度角提升了13.3%，光刻胶线宽或线间距宽度(DICD)均一性改善了14.7%，光刻图形光刻胶残留得到解决。

TFT线宽或线间距接近光刻机分辨率时，光刻图形容易产生光刻胶残留不良，为改善该问题，本文从光刻图形出发，以最佳光刻图形所在位置为基准，计算出光刻机光刻平面的优化补偿量，从而实现对光刻平面的补偿优化。首先，通过光刻机光刻平面的补偿量、基板载台平坦度及焦平面计算出光刻时光刻区域基板表面的高度值。然后，根据光刻区域内光刻图形状况找到最佳光刻区域位置，并以该位置为零点，计算出整个光刻区域相对于该位置的相对高度差值。其次，对光刻区域内的高度差值做平面拟合，计算出当拟合平面为垂直于 Z轴的水平面时所需要的补偿量，该补偿量即为光刻区域内光刻平面的优化补偿量。最后，以该补偿量对光刻平面进行补偿，从而使得光刻区域内光刻平面均趋于同一最佳光刻面。结果表明：光刻平面优化补偿后，光刻区域内光刻图形均能形成清晰的图形，光刻胶残留不良得到改善，同时光刻 DICD均值在目标值范围内减小了 1.38%，DICD均一性提高了 20%。

为了实现对电子扫描雷达工作状态的识别, 分析了电子扫描雷达的工作过程和状态转换, 通过得分矩阵动态地对两个截获信号状态转换序列进行公共序列的提取, 识别电子扫描雷达的主干工作模式脉冲序列。仿真试验证明截获序列的长度对序列相似度影响不大, 而电子扫描雷达的跟踪模式类型的增多和跟踪模式比例的减小能够提高对电子扫描雷达工作模式的识别效果。

TFT光刻制程中, 光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上, 各区域的光刻程度不同, 严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析, 根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点, 推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时, 光刻系统中光刻平面所应处于的位置, 同时结合当前光刻系统焦平面的位置, 计算出光刻平面的调整量, 并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明: 对于极限分辨率为241 μm的投影光刻机, 要使厚0.52 μm的光刻胶段差内光强变化量为零, 光刻平面调整量为9.434 42 μm, 且对光刻平面调整后10 μm 后, 在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下, 可显著改善沟道长为2.5 μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。

为了实现对相控阵雷达辐射源的个体识别，分析了相控阵雷达天线的方向图形成方式，提出一种基于阵元天线方向图的相控阵雷达辐射源识别技术。通过双站侦察数据得到相控阵雷达天线阵面的指向角，进而算得相控阵雷达的阵列因子函数，经过比对接收的雷达天线方向图和阵列因子函数，得到组成阵列的天线阵元方向图，最终将计算得到的天线方向图与数据库中的天线方向图进行匹配，完成对相控阵雷达辐射源的个体识别。该方法通过提取相控阵雷达天线方向图的不变个体特征，实现了对相控阵雷达辐射源的个体识别。仿真实验结果表明所提方法能够有效地对相控阵雷达辐射源进行识别。

为了对TFT((Thin Film Transistor)光刻DICD(Develop Inspection Critical Dimension)均一性进行改善，分析了光刻DICD存在差异性的原因，并建立了改善循环流程。对循环流程改善原理及方法进行说明。首先，根据处于光刻系统最佳焦平面位置光刻胶吸收光强最大，DICD最小（DICDmin）原则，提出了调整光刻平面，使其与系统最佳焦平面趋势一致，可减小DICD差异性。接着，计算出各光刻区域与最佳焦平面位置处的DICD差值（DICD-DICDmin），并通过结合光刻区域台板平坦度，判断DICD-DICDmin各差值的正负性。然后，采用最小二乘法对光刻区域DICD-DICDmin进行平面方程拟合，该平面即为光刻趋势平面，并反映了光刻平面与光刻系统最佳焦平面的差异。最后，以此平面方程作为光刻机台板高度调整平面方程，并对光刻区域台板高度进行调整，从而使得实际光刻平面趋于系统最佳焦平面。结果表明：该方法连续实验3次，DICD均一性可改善30%以上。