1 Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China
2 Key Laboratory of Functional Inorganic Material Chemistry (Heilongjiang University), Ministry of Education, Harbin 150080, China
Frontiers of Optoelectronics
2014, 7(4): 475–485
1 苏州大学 物理科学与技术学院, 江苏 苏州 215006
2 南通大学 电子信息学院, 江苏 南通 226019
3 南通大学 机械工程学院, 江苏 南通 226019
4 江苏综艺光伏有限公司, 江苏 南通 226376
设计了基于Si3N4掩模的太阳电池选择性掺杂工艺, 并对其工艺参数进行了仿真优化。选择性掺杂电池的一次掺杂条件为仿真所得最佳非选择性掺杂电池的工艺参数。运用SILVACO软件分别对选择性掺杂的时间、预淀积浓度和温度进行了仿真研究。仿真结果表明, 随着选择性掺杂的预淀积浓度的增加, 光谱响应率先增加后降低; 随着扩散温度和扩散时间的增加, 电池的光谱响应率逐渐减小。所得最佳选择性掺杂工艺参数为预淀积磷硅玻璃杂质浓度1×1019cm-3、扩散温度800℃、扩散时间5min。
选择性掺杂 太阳电池 光谱响应 工艺仿真 Si3N4掩模 selective emitter solar cell spectrum response process simulation Si3N4 mask layer
中国科学院上海光学精密机械研究所， 上海 201800
在超分辨光存储技术中，掩膜层材料是决定其性能优劣的关键。In薄膜可以作为掩膜层用来实现超分辨信息点的动态读出。采用直流磁控溅射法制备不同厚度的In薄膜，用台阶仪测量薄膜厚度随时间的变化关系，用原子力显微镜观察不同厚度薄膜样品的表面形貌。在预刻有尺寸为390 nm信息点的光盘盘基上制备In薄膜，从而形成In掩膜超分辨光盘。利用光盘动态测试仪进行动态读出，最高读出载噪比(CNR)达到26 dB。为了进一步分析超分辨动态读出的物理机理，采用变温椭圆偏振光谱仪测量In薄膜在不同温度下的光学常数，得到In薄膜在不同温度下的反射率和吸收系数。分析表明In掩膜超分辨光盘的读出机理符合孔径型超分辨读出模型。
薄膜 超分辨 In掩膜 载噪比
1 中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院强激光材料重点实验室, 上海 201800
2 中山大学物理系光电子材料与技术国家重点实验室, 广东 广州 510275
利用抽运探测技术研究了皮秒激光脉冲诱导下Bi20Sb80(BiSb)薄膜的时间分辨反射率演化过程。利用原子力显微镜和椭圆偏振光谱仪研究了激光诱导开关前后薄膜微区的表面结构特征和光学特性。结果表明，在一定能量密度范围内的皮秒激光脉冲作用下，该薄膜具有快速光热开关特性，瞬态反射率变化的开关时间约为19 ns，且不随激光能量密度的变化而变化，在多次脉冲重复作用下具有较好的重复性和稳定性。表明BiSb薄膜有望用于超快光存储超分辨掩模结构中，这将为发展新型快速开关掩模材料和理解BiSb作为超分辨掩模的工作机理提供帮助。
薄膜 BiSb薄膜 抽运探测 皮秒脉冲 光热开关 超分辨掩模
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
利用多层膜反射率的矩阵法计算了GeSbTe超分辨相变光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配.
超分辨相变光盘 掩膜 反射率对比度
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法.Ge-Sb-Te是一种良好的相变光存储材料,在超分辨光盘中可作为掩膜.利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2Sb2Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配.采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘,测量了光盘的光学性质.
超分辨 掩膜 Ge2Sb2Te5薄膜
