集成光电子学国家重点实验室, 吉林大学 电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012
通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征, 实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法, 研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品, 并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜, 探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180 ℃、反应时间为5 s时所合成的量子点尺寸最小, 为9 nm;旋涂速度为3 000 r/min、退火温度为80 ℃、退火时间为10 min时, 所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。
钙钛矿 量子点 光致发光 perovskite CsPbBr3 CsPbBr3 quantum dot TEM TEM photoluminesecence(PL)
1 商洛学院 化学工程与现代材料学院, 陕西 商洛 726000
2 南昌大学 材料科学与工程学院, 江西 南昌 330031
3 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 江西 南昌 330047
4 安徽工业大学 数理科学与工程学院, 安徽 马鞍山 243032
利用MOCVD在Al2O3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源, 采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置, 以及350～610 K高温PL测量装置, 测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明：在100～330 K温度范围内, 外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性, 分别呈现S与W形变化; 载流子的完全热化分布温度约为150 K, 局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K; 350～610 K高温范围内, InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式, 可在MOCVD外延生长掺In过程中, 通过特意降温在线测PL谱, 实时推算掺In量, 在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。
多量子阱 发光二极管 外延 光致发光 GaN GaN MQW LED epitaxial photoluminesecence
