作者单位
摘要
1 南京邮电大学卫星通信研究所, 江苏南京 210003
2 西安空间无线电技术研究所, 陕西西安 710000
在卫星物联网 (IoT)场景中, 随着终端数量不断增加, 频谱资源日益紧张。传统的随机接入技术频谱利用率较低, 使得传统随机接入协议不适用于未来卫星 IoT的高并发业务需求。同时, 卫星通信链路长, 开放性强, 难以保证特种终端信号的安全性。对此, 本文提出一种适用于卫星 IoT的混合随机接入方案。该方案引入重叠传输的容量提升与安全性优势, 利用扩频码对瞬时功率谱密度的控制能力, 构造功率域非正交接入条件, 并通过接收端的迭代分离实现稳健接收。对本文所提方案的吞吐量性能进行闭式解推导分析与计算机仿真, 结果表明, 与传统的随机接入协议相比, 所提方案可提高系统吞吐量。同时, 相较于常用信号隐藏方法, 所提方法利用常规接入数据包的功率优势, 强化了波形隐藏效果, 提升了特种信息接入的安全性。
扩频 Aloha 随机接入 安全接入 卫星物联网 spread spectrum Aloha Random Access(RA) secure access satellite Internet of Things 
太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(7): 901
作者单位
摘要
1 中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心北京 102413
2 北京微电子技术研究所北京 100076
基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大,器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大,温度越高总剂量效应影响越弱。此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性。相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考。
静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 特征尺寸 Static random access memory Total dose effect Power supply current Feature size 
辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(6): 060703
作者单位
摘要
湖北工业大学机械工程学院现代制造质量工程湖北省重点实验室,湖北 武汉 430068
T型相变存储器的低功耗、非易失性、高存储密度和高可靠性等优势使其被国际半导体工业协会认为是下一代半导体存储器的主流产品之一。为了保证T型相变存储器制造工艺的可控性,提出了一种基于光学散射的纳米结构三维形貌参数测量方法。基于严格耦合波分析方法建立了T型相变存储器的光学特性模型。分析了待测样品上椭圆偏振光的振幅和相位变化量。用逆散射问题反演求解待测纳米结构的三维形貌参数等信息。利用光学散射仪对T型相变存储器的三维形貌参数进行测量,并将待测参数的提取结果与扫描电子显微镜的测量结果进行对比,验证了光学散射仪在T型相变存储器形貌表征及制造工艺监控上的可行性与有效性。
散射 纳米结构 光学散射仪 T型相变存储器 三维形貌参数 
激光与光电子学进展
2022, 59(19): 1929001
Zhiguang Pang 1,2,3Jiang Gao 1,2,3Tianlei Hou 1,2,3Min Wei 1,2,3[ ... ]Qin Wang 1,2,3,**
Author Affiliations
Abstract
1 Institute of Quantum Information and Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), Nanjing 210003, China
2 Key Laboratory of Broadband Wireless Communication and Sensor Network Technology of Ministry of Education, NUPT, Nanjing 210003, China
3 Telecommunication and Networks National Engineering Research Center, NUPT, Nanjing 210003, China
Quantum random access codes (QRACs) are important communication tasks that are usually implemented in prepare-and-measure scenarios. The receiver tries to retrieve one arbitrarily chosen bit of the original bit-string from the code qubit sent by the sender. In this Letter, we analyze in detail the sequential version of the 31 QRAC with two receivers. The average successful probability for the strategy of unsharp measurement is derived. The prepare-and-measure strategy within projective measurement is also discussed. It is found that sequential 31 QRAC with weak measurement cannot be always superior to the one with projective measurement, as the 21 version can be.
quantum random access codes unsharp measurement prepare-and-measure scenario 
Chinese Optics Letters
2021, 19(11): 112701
作者单位
摘要
重庆邮电大学 通信与信息工程学院, 重庆 400065
针对已有的随机接入前导算法存在难以在实际基站中实现以及算法运算量大的缺点,文章提出了5G随机接入前导检测算法。首先将接收到的信号经过发送端的逆过程处理得到频域前导,然后生成频域ZC序列并进行分组,将各个组内频域ZC序列相加并与频域前导相关,最后通过设置阈值来检测前导序列,利用多天线分集梳理修改相对阈值的累积分布函数,根据相对检测阈值确定绝对检测阀值,即相对检测阈值与时变噪声电平的乘积。仿真结果表明,与频域固定阈值前导检测算法相比,在加性高斯白噪声信道中,所提算法的正确检测概率性能提升了1 dB;在节拍延迟线(TDLC300-100)信道中,所提算法的正确检测概率性能提升了2 dB。
随机接入 前导检测 阈值 5G 5G random access preamble detection threshold 
光通信研究
2020, 46(1): 47
梁堃 1,2,*张龙 1,2赵振国 3杨帆 4
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 a.微系统与太赫兹研究中心, 四川 成都 610200
2 b.电子工程研究所, 四川 绵阳 621999
3 中国工程物理研究院 c.高性能数值模拟软件中心, 北京 100088
4 复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 201203
静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件, 并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此, 为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果, 提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法, 并应用于典型SRAM电路成品率的预测。此方法主要根据不同SRAM电路条件下失效区域边界距离的差异将仿真数据划分为多组, 之后利用OMP算法对不同组的数据分别建立多项式模型, 该模型可用于对SRAM电路的成品率进行快速分析预测。与标准蒙特卡洛统计算法及基于OMP的单一建模方法相比, 基于OMP的分组建模方法不仅可以缩短建模时间, 提高建模准确度, 还能够获得更加精确的SRAM成品率预测结果。
分组建模 正交匹配追踪 重要性采样 静态随机存取存储器成品率预测 multi-model Orthogonal Matching Pursuit importance sampling Static Random Access Memory yield prediction 
太赫兹科学与电子信息学报
2020, 18(1): 155
作者单位
摘要
沈阳理工大学 装备工程学院, 辽宁 沈阳 110159
空间高能粒子辐照航天器电子器件诱发的毁伤和热演化特征, 直接关系到航天器的在轨安全运行和在轨任务的顺利实施。本文利用自行构建的飞秒脉冲激光辐照系统、激光诱发毁伤的数据采集系统、数据读写系统和红外热成像系统, 开展了不同激光输出重复频率、不同作用区域下辐照铁电存储器(FRAM)实验, 获取激光辐照于铁电存储器被照面的稳态温度场和铁电存储器的暂态失效和永久失效出现时间, 并观测了辐射效应对铁电存储器的毁伤效果, 经MATLAB软件处理得到了激光辐照铁电存储器不同区域热演化过程的温度场分布。实验结果表明: 在激光输出功率近似相同的飞秒脉冲激光辐照条件下, 激光脉冲输出重复频率越低, 诱发永久性毁伤出现时刻的时间越长, 近似呈非线性增长; 随着激光输出重复频率的增大, 激光对铁电存储器的作用由激光电离存储器介质产生的高能带电粒子对铁电体自发极化的破坏为主, 逐步转变为以热辐射与热应力诱发的毁伤; 当激光在器件表面产生的最高温度接近存储器最高工作温度时, 永久毁伤的出现时间将显著延长。并通过对回归参数的计算和假设检验, 给出了回归参数的置信度1-α为95%的条件下激光辐照区域1与区域2的最高辐射温度与激光输出重复频率的拟合关系式。
飞秒脉冲激光 毁伤效应 铁电存储器(FRAM) 温度场分布 femtosecond pulsed laser damage effect ferromagnetic random access memory (FRAM) temperature field distribution 
发光学报
2019, 40(6): 815
作者单位
摘要
天津大学微电子学院, 天津 300072
设计了一种单时钟域内低级展开、高级折叠的多级离散小波变换架构;采用横向三输入扫描方式,基于9/7离散小波变换提升算法,设计第1级离散小波变换模块;根据第2级离散小波变换的时钟周期与有效输入数据之比,设计半折叠的第2级离散小波变换模块;将第3级及更高级的离散小波变换的架构折叠到第2级离散小波变换架构上,从而降低了硬件资源的消耗。结果表明:对于大小为512 pixel×512 pixel的经3级离散小波变换处理的输入图像,所提架构的硬件效率比其他现有架构提高了57.1%以上。
图像处理 超大规模集成电路 内部折叠 小波变换 片外存储 
光学学报
2019, 39(4): 0412004
作者单位
摘要
复旦大学 微电子学院 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 200433
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制. 研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性, 通过结构优化, 在Al2O3/NbAlO/Al2O3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性. 基于电场调制效应, 提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为, 并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布. 当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al2O3膜后, 阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升, 其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控, 因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中.
电场调制 阻变存储器 原子层沉积 electric-filed modulating effect resistive random access memory (RRAM) atomic layer deposition 
红外与毫米波学报
2018, 37(6): 693
作者单位
摘要
重庆邮电大学 重庆市移动通信技术重点实验室,重庆 400065
基于蜂窝网络的窄带物联网(NB-IoT)的随机接入过程相对于长期演进(LTE)而言,进行了大量简化,同时针对NB-IoT系统的相关特性也作了适当修改。文章详细分析了NB-IoT系统中基于竞争模式的随机接入过程,包括覆盖等级选择、资源配置和实现流程等;对NB-IoT新添加的挂起与恢复过程进行了系统研究,并设计了相应的流程图。基于测试及测试控制表示法第3版(TTCN-3)测试平台,搭建了一致性测试环境,对随机接入过程进行了测试,测试结果与预期结果相同,验证了其与标准的一致性。
窄带物联网 随机接入 媒体接入控制 无线资源控制 NB-IoT random access medium access control radio resource control 
光通信研究
2018, 44(4): 74

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