为探索以菲涅耳透镜为聚光器的聚光光伏模组中，多结电池中心局部高辐射功率对短路电流的影响，测量菲涅耳透镜的高亮度光斑直径，并据此分别测试室内不同局部光照面积下和户外不同尺寸透镜下的GaInP/GaInAs/Ge三结电池的短路电流，利用电路网络模型分析实验结果。结果表明，短路电流与局部聚光的面积无关；小尺寸菲涅耳透镜聚焦下，沿光轴电流与辐射功率同步变化；透镜尺寸增大到一定程度，电池中心局部承受过高辐射功率，电流受峰值隧穿电流限制，宏观体现为焦平面处短路电流下降。电池放置在焦平面两侧，均可缓解局部高辐射功率，短路电流最高提升 8.0%。

实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管, 对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型, 利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算, 并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响。结果表明, 二极管暗电流主要来自于体暗电流, 而非表面漏电流。在工作点偏压90V处, 受缺陷影响的缺陷辅助隧穿电流Itat在暗电流中占据了主导, 并推算出了芯片结构的缺陷浓度Nt约为1019m-3、吸收区中的缺陷浓度NInGaAs约为7×1015m-3。由于芯片结构的缺陷主要来源于InAlAs/InAlGaAs倍增区和InGaAs吸收区, 而吸收区缺陷占比很少, 因此认为缺陷主要来自于异质结InAlAs/InAlGaAs倍增区。

针对InGaN/GaN多量子阱LED, 分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制, 从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系, 以及理想因子与温度的变化规律。实验结果证实, 在低注入强度下, 由材料缺陷引入的深能级辅助隧穿输运机制占主导, 电流电压特性符合相应的推导结果, 随着注入强度的增大, 参与扩散-复合输运机制的载流子逐渐增加, 温度对输运机制的影响逐渐增大。

共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿, 是目前为止最有希望应用到实际电 路和系统的量子器件之一,其特点是器件的响应速度非常快。用传递矩阵的方法分别计算了在外加偏压下, 对称双势垒、三势垒应变量子阱结构的透射系数与入射电子能量和隧穿电流与偏置电压的关系,模拟了应变多量子 阱结构的隧穿系数和 I-V 特性曲线。计算得到隧穿电流峰值位置与实验测试值符合得很好,对于设计共振隧穿二极管 并为进一步实验提供理论指导具有重要的意义。

本文通过对共振隧穿电流密度随外加偏压及应力而变的依赖关系的理论研究，模拟了Zn1-xCdxSe/ZnS 共振隧穿电流密度随外加偏压及应力的变化曲线。给出了等效电阻系数随外加偏压及应力而变的依赖关系，得出了介观压 阻系数与外应力的变化符合线性关系的结论。这些结论为将机械信号转换为电学信号的介观效应器件的设计提供了理论指导。

在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24 nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火.实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ω cm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ω cm2.