太原科技大学 应用科学学院, 山西 太原 030024
全无机卤化铅铯钙钛矿纳米晶CsPbX3(X=Cl,Br,I)因具有独特的光电特性,近年来在固体照明及显示、太阳能电池、阻变存储器等领域成为研究的热门之选。Mn2+是一种比Pb2+半径小的过渡金属离子,利用Mn2+掺杂CsPbCl3钙钛矿纳米晶能够实现波长位于600 nm左右可见光区域的橘黄色发射,且能够部分替代钙钛矿纳米晶中的Pb2+,降低钙钛矿纳米晶的毒性。然而,Mn2+掺杂的卤化物钙钛矿纳米晶仍易受环境中水分子等的侵蚀而导致其荧光特性严重退化。本文采用一种利用四甲氧基硅烷(Tetramethoxysilane,TMOS)和聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate,PMMA)对Mn2+掺杂CsPbCl3钙钛矿纳米晶进行双壳层的包覆方法,并分析了双壳层包覆法对钙钛矿纳米晶稳定性提升的机理。此外,还对比了双壳层包覆的Mn2+掺杂CsPbCl3钙钛矿纳米晶在甲苯和二氯甲烷(Dichloromethane,DCM)溶剂下的发光特性,它们呈现的橘黄色荧光发射强度并未明显下降,且荧光量子产率(Photoluminescence quantum yield,PLQY)能够保持在25%左右。并以此为基础制备了相应的荧光纳米晶粉末,将其运用于潜指纹辨识上,可长期有效地检测潜指纹信息。
Mn2+掺杂 卤化物钙钛矿纳米晶 双壳层包覆 荧光粉末 潜指纹辨识 Mn2+-doped halide perovskite nanocrystals double-layer coating luminescence powder latent fingerprints identification
1 1.石家庄铁道大学 机械工程学院, 石家庄 050043
2 2.河北师范大学 化学与材料科学学院, 河北省无机纳米材料重点实验室, 石家庄 050024
3 3.石家庄铁道大学 材料科学与工程学院, 石家庄 050043
阻变器作为一种基于可逆、非易失、阻态突变的信息存储和处理器件, 是解决传统存储器的内在物理限制和冯·诺依曼架构瓶颈问题的核心电子元器件之一, 受到了广泛关注。卤化物钙钛矿具有快速的载流子迁移特性和优异的光电转换性能, 作为阻变功能层赋予光电阻变存储器优异的阻变性能。因此, 近年来卤化物钙钛矿基阻变器的存储和计算应用研究发展迅速。然而, 目前对于卤化物钙钛矿的光电阻变机理尚未形成统一认识。基于此, 本文分析了卤化物钙钛矿阻变存储器的工作机理, 对比分析了卤化物钙钛矿基光电阻变器导电细丝和能级匹配调控特性, 总结了其各种机理的制约因素, 揭示了导电细丝在光场和电场作用下重复形成和断裂, 以及阻变器中卤化物钙钛矿功能层和其他功能层之间肖特基势垒改变, 主导卤化物钙钛矿光电阻变器的开关比、阈值(Set/Reset)电压和阻变器性能稳定性, 并进一步展望卤化物钙钛矿基光电阻变器在新型人工智能仿生突触、存内运算、机器视觉的应用。
导电细丝 能级匹配 卤化物钙钛矿 存内运算 机器视觉 综述 conductive filament energy level matching halide perovskite in-memory computing machine vision review
红外与激光工程
2023, 52(12): 20230630
北京工业大学材料与制造学部 激光工程研究院,北京 100124
利用稀土离子掺杂材料、有机染料以及量子点等荧光材料实现荧光温度传感在航空航天、生物医疗、食品储存等领域具有重要意义。其中,无机卤化物钙钛矿量子点(PeQDs)荧光材料由于具有量子产率高,温度依赖性强等特点,在荧光温度传感领域展现了巨大的应用前景。然而,PeQDs只有一个光致荧光(PL)峰,其强度和位置极易受到浓度和尺寸等因素的干扰,因此用单一PL峰进行温度传感的准确性较低。在本工作中,我们提出了一种微球腔阵列(MCA)耦合PeQDs薄膜(MCA/PeQDs)的新型温度传感结构,利用MCA/PeQDs结构与PeQDs薄膜具有温度依赖性的PL峰值强度比实现温度传感。该结构通过微球腔中回音壁模式(WGMs)增强的Purcell效应提高了自发辐射速率,抑制了声子辅助猝灭效应,从而实现了较好的PeQDs荧光增强。结果表明,在223~373 K范围内,当PeQDs浓度为0.131 6 mg/mL、微球腔直径为(19±1)μm时,该结构的绝对灵敏度(Sa)与相对灵敏度(Sr)可达到0.75 K-1和1.95%·K-1。本工作克服了使用单个PL峰进行温度传感准确性差的缺点,为荧光材料在高性能荧光温度传感器中的应用开辟了新的途径。
温度传感 微球腔 无机卤化物钙钛矿量子点 荧光增强 temperature sensing microsphere cavity inorganic halide perovskite quantum dots fluorescence enhancement
太原理工大学电子信息与光学工程学院,山西 太原 030024
采用两步气相沉积方法制备高品质锡基卤化物钙钛矿纳米片。首先,在云母衬底上制备出尺寸可控的碘化亚锡(SnI2)纳米片前驱体;然后,将这些纳米片转化为甲胺锡碘(CH3NH3SnI3)。根据晶体成核生长理论,系统研究了沉积时间、H2气体流量、转化时间、Ar气体流量等条件对纳米片尺寸及成分的影响规律,并实现了尺寸可控且表面颜色均匀的无铅钙钛矿纳米片制备,其中尺寸可控制在8~41 μm。光致发光(PL)光谱测试结果证明所制备的CH3NH3SnI3纳米片具有良好的近红外(920 nm)发光特性。此外,经过聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)钝化的CH3NH3SnI3纳米片具有良好的稳定性,在N2氛围中可维持48 h以上的稳定性。这种尺寸可控的无铅钙钛矿纳米材料可应用到近红外光电器件中。
光学器件 锡基卤化物钙钛矿 气相沉积 晶体成核理论 纳米片 近红外特性 光学学报
2023, 43(16): 1623022
1 工业和信息化部电子第五研究所, 广州
2 西北工业大学 微电子学院, 西安
卤化物钙钛矿(ABX3)材料由于其离子迁移和电荷俘获效应, 在忆阻器材料中具有很强的应用潜力。Cs0.05(FA0.85MA0.15)0.95PbI2.55Br0.4由于生成能低、铅和碘原子之间结合强度弱, 碘离子很容易从钙钛矿晶格中丢失, 产生缺陷和不饱和的铅原子。太阳能电池领域研究表明, 通过引入碘三离子, 可以明显减少钙钛矿薄膜中的缺陷, 显著提高薄膜质量。因此通过向钙钛矿前驱体溶液中加入不同量的碘单质, 引入碘三离子来探究其对于由Cs0.05(FA0.85M A0.15)0.95PbI2.55Br0.4组成的钙钛矿忆阻器的影响。实验结果表明: 通过加入不同量的碘单质, 忆阻曲线出现了三种较为明显的变化: I-V曲线中电流呈现逐渐下降的趋势; 忆阻器SET与RESET的突变特性发生明显改变; 忆阻器开关比变化较大。通过研究引入碘三离子对钙钛矿忆阻器的影响, 为调节钙钛矿忆阻器电流与开关比, 以适用于不同应用领域, 同时为未来钙钛矿忆阻器忆阻性能的提高提供了方向。
忆阻器性能 卤化物钙钛矿 碘三离子 离子浓度 memristor performance halide perovskite triiodide ion ion concentration
1 中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所,安徽合肥 230031
2 中国科学技术大学,安徽 合肥 230026
将光电性能优异、可通过低温溶液法制备的卤化物钙钛矿制成阵列型光电探测器, 必将推动其在成像、光通信等领域中的应用。然而, 卤化物钙钛矿易被常规溶剂 (包括显影液) 溶解, 导致其与光刻工艺不兼容。自组装单分子疏水层结合光刻工艺的亲水-疏水图形基底制备方法能解决制备过程中极性溶剂与钙钛矿材料不兼容的问题, 通过简单的旋涂 (极性钙钛矿前驱体溶液仅在亲水图形区域浸润)、低温退火, 可以快速获得钙钛矿阵列。CH3NH3PbI3 薄膜阵列光电探测器具有良好的光电性能, 530 nm 光辐照下探测率为 4.7×1011 Jones, 响应度为 0.055 A/W。这项工作为制备图案可控的钙钛矿薄膜阵列光电探测器提供了一种简单而有效的策略。
薄膜光学 卤化物钙钛矿 光电探测器阵列 反溶剂法 亲水- 疏水基底 光刻 film optics halide perovskite photodetector arrays anti-solvent method hydrophilic-hydrophobic substrate photolithography