北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜, 在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品, 并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明, 提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后, 利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱 metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) non-doped GaN double-crstal X-ray diffraction photoluminescence spectra
通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等，设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺，利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰，表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量。利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征，结果表明，不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6～2.28 μm范围内可调，样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV。
GaSb衬底 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 X射线双晶衍射 发光性质 InGaAsSb/AlGaAsSb multi-quantum-wells X-ray double crystal diffraction luminescence properties
1 深圳信息职业技术学院电子通信技术系, 广东 深圳 518029
2 中科院半导体所纳米光电子实验室, 北京 100083
采用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同处理流程后的InP(100)表面粗糙度及化学成分进行测试分析,优选出C、O元素浓度较低,且表面均方根粗糙度影响较小的表面清洗方法。通过比较键合结构的薄膜转移照片可知,表面清洗后的干燥与除气步骤可较好地去除键合界面中的空洞和气泡,从而提高键合质量。键合结构的电子显微镜(SEM)照片,X射线双晶衍射曲线(XRD)及I-V测试分析表明键合结构具有良好的机械、晶体及电学性质。
摘要键合 X射线光电子能谱 微观粗糙度 薄膜转移 X射线双晶衍射 bonding X-ray photoelectron spectroscopy micro-roughness film transfer X-ray diffraction
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室， 吉林 长春130022
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比，采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比，获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。
分子束外延 锑化物 表面形貌 X射线双晶衍射 MBE antimonide surface morphology XRDCD
长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
在偏〈111〉A 2°的GaAs (100) 衬底上生长了Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片.P 型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对.用光荧光 (PL) 谱、扫描电子显微镜 (SEM)和X射线双晶衍射 (XRD) 方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析.室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0 nm,半高宽达到28.9 nm.在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了"0"级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰."0"级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″."0"级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性.实验结果表明腔模波长为837.2 nm,腔模波长与PL谱峰值波长相匹配.
垂直腔面发射激光器(VCSEL) 分布布拉格反射镜(DBR) 光荧光(PL) X射线双晶衍射 (XRD) Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser （VCSEL ） Distributed Bragg Reflector （DBR） Photoluminescence （PL） Double Crystal X Ray Diffraction （XRD）
华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.
光电子学 X射线双晶衍射 金属有机化学气相沉积 量子阱 光荧光 optodectrctronics double crystal X-ray diffraction metalorganic chemical vapor deposition quantum wells photoluminescence
1 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631
2 南昌大学材料科学研究所,江西,南昌,330047
采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试.结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关.随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大,GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大,X射线双晶衍射峰半高宽增大.未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关.研究?贡砻?未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同.
薄膜光学 卢瑟福背散射/沟道 X射线双晶衍射 光致发光 film optics GaN GaN rutherford backscattering and ion channeling double crystal X-ray diffraction photoluminescence
报道了利用X射线双晶衍射法精确测定ZnO:LiNbO3质子交换光波导的晶格常数变化。结果表明，波导层内含有均匀分布的三维应变场，晶格常数的变化随着波导取向的不同而呈现各向异性特点。
质子交换 双晶衍射 应变
