1 中国科学院西安光学精密研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119
2 中国科学院大学，北京 100049
3 西安中科原子精密制造科技有限公司，西安 710110
基于原子层沉积技术提出了一种TiO2∶Al2O3纳米复合薄膜作为微通道板导电层材料。根据微通道板的规格参数以及体电阻要求，推导出微通道板导电层薄膜的方块电阻范围为1.73×1013~5.20×1013 Ω/□；研究了TiO2循环百分比与TiO2∶Al2O3纳米复合薄膜方块电阻之间的关系，发现当TiO2循环百分比在30.27%~37.06%时复合薄膜电阻率满足微通道板导电层要求；设计制备了20 nm的Al2O3过渡层以及100 nm的TiO2∶Al2O3纳米复合薄膜，测量厚度约为122 nm，且薄膜表面平整光滑，实现了微通道板微孔内壁TiO2∶Al2O3纳米复合薄膜导电层的制备。在1 000 V测试电压下，其体电阻为212.81 MΩ，增益为18 357，表明TiO2∶Al2O3纳米复合薄膜作为微通道板导电层具有可行性。
原子层沉积 微通道板 二氧化钛 氧化铝 导电层 Atomic layer deposition Microchannel plate TiO2 Al2O3 Conductive layer
1 郑州航空工业管理学院 理学院, 河南 郑州450046
2 国家知识产权局专利局 专利审查协作河南中心, 河南 郑州450043
3 北京工业大学 电控学院, 北京100124
使用一维ZnO纳米线和二维石墨烯复合结构集成到p-GaN表面来同时实现电流扩展和提高LED光提取效率。通过两组有无ZnO纳米线器件的对比, 发现ZnO纳米线使器件的光提取效率提高了30%. 通过分析两组器件的开启电压、工作电压和反向漏电流等关键参数, 验证了本结构应用于GaN LED不会恶化其电性能。本文所采用的复合结构用于GaN LED, 同时达到了良好欧姆接触、避免使用ITO和增强出光的效果。
氧化锌 氮化镓LED 石墨烯 透明导电层 ZnO GaN LED graphene transparent conductive layer
设计了采用准分子激光技术实现聚偏氟乙烯(PVDF)表面导电层图形化的制备方案。根据刻蚀缺陷为导电层活性中心的结论，利用刻蚀线构造图形控制导电层的扩展路径，再在光学掩模的协助下对导电层扩展外形进行限制，实现了PVDF表面多种导电图形的制备。实验结果表明，刻蚀缺陷不仅起到活性中心的作用，同时对导电区域进行了有效分割；掩模起到了对激光辐照区域限制的作用，进而实现了对导电层生长区域外形的控制。采用扫描电镜沿导电层的扩展方向对不同位置的导电层的微观形貌进行观察，提出导电层的形成扩展机理。为PVDF基电子器件的开发提供可能，为各种类型导电高分子聚合物材料表面快速图形化制备提供技术指导和实验基础。
准分子激光 导电层图形化 聚偏氟乙烯 直写刻蚀
采用KrF准分子激光直写刻蚀技术在聚偏氟乙烯(PVDF)材料表面引入刻蚀缺陷，利用刻蚀点缺陷和线缺陷的活性中心作用实现了聚偏氟乙烯表面导电层的快速制备。实验结果表明，通过激光刻蚀在该材料表面产生的刻蚀点或刻蚀线均可起到活性中心的作用，轻易地控制导电层的形成，降低了激光改性阈值，低阈值实现了导电层快速制备的目的。通过激光扫描共聚焦显微镜（LSCM）及扫描电镜（SEM）观察，刻蚀缺陷边缘产生类导电层的二维规整网络微结构，为导电层的初期形式。激光刻蚀过程中的激光热交联反应及激光辐照交联反应的交替作用是聚偏氟乙烯导电层快速产生并大面积形成的主要原因。
激光技术 准分子激光 直写刻蚀 导电层 聚偏氟乙烯
