碳化硅陶瓷在磨削加工中极易产生崩碎损伤，在碳化硅陶瓷磨削层实时涂覆增韧剂是降低崩碎损伤的新方法。以E51双酚A型环氧树脂、无水乙醇、651型低相对分子质量聚酰胺树脂和1,8-二氮杂二环十一碳-7-烯（DBU）为主要成分制备了一种增韧剂，通过测量增韧剂在碳化硅陶瓷表层的接触角、浸润深度与固化时间，探究了增韧剂各组分的添加量与碳化硅陶瓷表面粗糙度对增韧剂润湿性能与固化速率的影响规律，优化出一种润湿性能好、固化速率快的增韧剂。结果表明：增韧剂的最佳质量配比为m(E51双酚A型环氧树脂)∶m(无水乙醇)∶m(651型低相对分子质量聚酰胺树脂)∶m(DBU)=1∶0.9∶0.5∶0.02，该增韧剂在碳化硅陶瓷表层的浸润时间约为160 s，浸润深度约为40 μm，可使碳化硅陶瓷的表层硬度降低约25%；增韧剂的润湿性能随着溶剂的增加或碳化硅表面粗糙度的增大而提高，促进剂添加量的改变对增韧剂的润湿性能几乎无影响；增韧剂的固化速率随溶剂的增加而降低，随促进剂的增加而提高，但当促进剂达到饱和时，固化速率不再提高。

针对远距离空中弱目标光学探测的需求,提出天基探测系统性能表征与关键指标匹配设计方法.首先立足于天基光学探测全链路,分析得出影响天基观测条件下空中复杂环境背景中弱目标光学探测的主要因素,包括场景杂波、探测系统的光谱辐射尺度、几何尺度等; 然后对上述影响因素进行表征建模,建立目标的图像信噪比与影响要素之间的关系模型,即探测系统性能表征模型; 最后以典型探测场景为例,通过研究目标在不同场景杂波及探测多尺度耦合特性下的信噪比变化规律,提出探测谱段优选及其与空间分辨率的匹配设计建议,可为我国天基探测系统设计、指标论证、信息处理算法优化提供理论依据与科学指导.

超音速激光沉积(SLD)是新近发展起来的一种激光复合制造技术,该技术将激光辐照与冷喷涂相结合,利用高能激光束的热能与高速粒子动能的协同作用,实现了宽范围材料的沉积,并获得了特殊的微观组织和性能。结合本课题组在SLD领域的研究成果,从SLD原理、沉积材料范围、微观组织结构以及性能表征等方面综述了国内外的最新研究进展,从工艺探索、设备开发以及性能评估等方面对SLD技术未来的发展趋势和挑战进行了展望。

为了实现红外多光谱成像系统光谱维MRTD测试，获取更多的目标背景信息，提出基于声光可调谐滤波器(AOTF)的多光谱成像系统静态性能测试平台的设计。在(3~5)μm波段范围内，采用设计搭建的静态性能测试平台完成了红外带内波段的细分，并在各个细分波段上分别对空间频率2.546 lp/mm、1.273 lp/mm、0.849 lp/mm和0.632 lp/mm的标准靶进行了MRTD测试。实验结果表明，得到的光谱维MRTD测试结果与理论结果一致，验证了测试平台的可靠性和测试方法的可行性。

提出了一种基于半监督自适应增强 (AdaBoost)模型树的建模方法，用于现场可编程门阵列(FPGA)的性能表征。该方法以半监督学习方式，构建了 FPGA性能关于 FPGA架构参数的解析模型，同时采用 AdaBoost算法提高 FPGA性能模型的预测精确度。使用 VTR(Verilog To Routing)电路集，基于该方法构建的性能模型在预测 FPGA上实现的应用电路面积时，平均相对误差( MRE)为4.42%; 预测延时的MRE为1.63%; 预测面积延时积时，MRE为5.06%。与全监督模型树算法以及现有的半监督模型树算法相比较，该方法构建的 FPGA实现面积模型的预测精确度分别提高了 39%,26%。实验结果显示，该方法在确保较少的时间开销前提下，构建了具有高预测精确度的 FPGA性能模型，提供了一种高效的 FPGA性能表征方法。

以杨木生材为原料， 采用原位聚合方法制备木材/羟甲基脲复合材料。 羟甲基脲在脉冲式压力的作用下浸渍到木材内， 在热压干燥过程中, 经过原位聚合制备木基复合材料。 根据国标对改性前后的木材化学成分进行了分析， 并利用X射线光电子能谱(XPS)、 核磁共振分析(13C-NMR)、 EDXA对改性前后木材中碳和氮元素含量、 分布以及官能团变化进行了表征。 结果表明木材化学处理后热水抽提物、 苯醇抽提物含量提高了187.43%和230.87%， 木素和综纤维素含量降低了26.55%和26.39%， XPS分析表明改性材O与C原子的浓度比增加了9.4%， N元素含量增加了137.2%， 13C-NMR分析表明羟甲基脲与木材结构中的羟基发生了化学反应， 减少了羟基的含量， 醚键含量增加， EDXA图谱说明了该处理方法可以得到浸渍均匀的改性材， 而且氮元素均匀的分布在木材细胞壁及细胞间隙中。

从光电隐身技术内涵入手, 介绍了红外隐身和激光隐身的表征方法, 对隐身材料性能进行了深入分析。基于光电隐身的表征方法和具体应用, 对光电隐身效果的测量与评估做了初步探讨, 提出了激光与红外隐身的外场测量与效果评估方法。

介绍了制备高纯度有机发光材料8-羟基喹啉钕(Ndq3)和生长Ndq3薄膜的方法。通过X-射线衍射谱、红外吸收光谱、紫外吸收光谱以及荧光光谱测试分析,对Ndq3粉末和薄膜的结构和特性进行了表征。标定了Ndq3中喹啉环的存在;计算得出Ndq3的禁带宽度为2.8 eV;证实了Ndq3分子中的Nd—O键为共价键而非离子键;测得Ndq3的荧光发射光谱位于472 nm(蓝光区域);证明了光激发位于喹啉环上而不是金属Nd3+上。与Al和Zn的金属螯合物相比,Ndq3中的Nd3+成键共价键较强,极化力较弱。对不同衬底温度下生长的Ndq3薄膜做了XRD分析,发现Ndq3薄膜呈多晶态,且随温度升高,衍射单峰逐渐增强,显示Ndq3薄膜的结晶性能随衬底温度的升高变好,结晶晶粒尺度也随着衬底温度的升高逐渐变大,薄膜表面形貌更加均匀。