相较于传统的压电单晶声表面波器件，薄膜型声表面波器件具有成本低、易小型化、易集成化等优点。文章对几种薄膜型声表面波器件的研究进展进行了综述。首先，总结了几种常见的薄膜制备方法。然后，根据应用范围的不同将薄膜型声表面波器件分为高频器件和高温器件。根据这两大类型，综述了近年来较典型的五种薄膜型声表面波器件，介绍其制备流程、基本结构和高频/高温等特性。最后，对五种薄膜型声表面波器件进行对比，并对薄膜型声表面波器件的未来发展提出展望。该综述对薄膜型声表面波器件的实际应用及推广具有一定借鉴意义。

平面金属/介质薄膜结构吸波体的吸收性能优越,制备过程简单,应用前景广阔,因此备受关注。为了提高吸收性能,提出了一种基于Fabry-Perot (FP)共振吸收的具有多层Zr/SiO₂结构的超宽带完美吸波体。通过传输矩阵法并结合遗传算法,对结构参数进行了优化。计算结果表明,具有10层Zr/SiO₂结构(构成了4个串联FP腔)的吸波体在0.4~3.0 μm波长范围内的最低吸收效率均超过96.6%,平均吸收效率高达98.6%。即使只设置4层结构,其在该波段的平均吸收效率依然可达91.5%。同时分析了该结构在其他波段的吸收特性,并计算了其平均吸收效率与层数之间的关系。与其他复杂结构的吸波体相比,所设计的吸波体具有工作带宽大、吸收效率高和结构简单等特点,在太阳能收集、热辐射器、红外隐身等领域有广阔的应用前景。

绝缘体上压电单晶薄膜结构材料(POI)为研制高性能、可集成的声表面波(SAW)器件提供了新的解决途径和方案, 可满足射频(RF)前端在集成化、小型化发展趋势下对新一代压电声学器件的需求。该文介绍了POI的制备工艺技术。总结了基于铌酸锂/钽酸锂-POI(LN/LT-POI)多层结构的高性能SAW器件的最新研究成果, 并展望了其未来的发展。

为了满足MEMS火工品的小型化、集成化和低能发火等要求, 本文基于MEMS技术, 设计了一种平面“蛇”形结构的薄膜换能元, 采用磁控溅射等MEMS薄膜制作技术, 完成了不同薄膜桥区电阻和基底材料薄膜换能元样品的制备, 采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM), 低电阻测试仪、红外热像仪等设备, 完成了不同换能元样品结构(薄膜桥区线宽、长度及厚度等)及性能(电阻、电热响应等)参数的测试与表征。通过分析研究, 获得了薄膜桥区电阻材料、基底材料、薄膜厚度以及桥区结构形状对换能元性能的影响规律, 优选确定以金属Pt和7740玻璃作为换能元电阻及基底材料, 发火性能达5 V/33 μF, 满足MEMS火工品的低能化要求。

本论文主要介绍了一种用来空间上调节光的传播方向跟偏振态的光学薄膜结构。这种结构包含多层图案化的双折射薄膜，每一层都是由液晶聚合物（LCP）构成，这些聚合物的光轴方向由一层图案化的光配向层控制而变化。这种光调制器有两层功能层，第一层的设计是图案化的偏振光栅，光栅向量方向可以空间上变化，已达到空间调制光的传播方向的作用，第二层是一层图案化的光延迟膜，可以调节出射光的偏振态。这种多薄结构的厚度小于1 μm，有助于提供高分辨率的光波前结构。它还可以当做光掩模，用来产生多畴配向结构的光配向层，应用到现代液晶显示器的制造中。为了验证这种结构的实用性，我们成功地制作了这种多层膜结构，并用它在单次曝光的条件下制作了一个两域光配向结构的液晶盒。这种光学薄膜结构在调制光的传播方向跟偏振态方面有着独特的功能，可以广泛应用于微型制造、三维成像、光通信、光计算、光开关等等领域。

Antimony-based bismuth-doped thin film, a new kind of super-resolution mask layer, is prepared by magnetron sputtering. The structures and optical constants of the thin films before and after annealing are examined in detail. The as-deposited film is mainly in an amorphous state. After annealing at 170–370 oC, it is converted to the rhombohedral-type of structure. The extent of crystallization increased with the annealing temperature. When the thin film is annealed, its refractive index decreased in the most visible region, whereas the extinction coefficient and reflectivity are markedly increased. The results indicate that the optical parameters of the film strongly depend on its microstructure and the bonding of the atoms.

以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3·H20和HCl为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,通过调节催化剂控制SiO2纳米颗粒尺度,然后在玻璃上用旋涂法镀膜并对其进行热处理,制备低折射率SiO2减反膜.分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究不同性质和剂量的催化剂对薄膜结构、折射率的影响.结果表明：通过控制适量的碱酸催化剂可以制备出低折射率多孔结构的SiO2太阳电池减反膜.

采用封闭式电子回旋共振(MCECR)氩等离子体溅射碳靶的方法在硅片上沉积了高质量的硬碳膜,膜层厚度约40 nm. 使用X射线光电子能谱仪(XPS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析了碳膜结构,并用POD摩擦磨损仪测试了碳膜的摩擦磨损特性,用纳米压入仪测试了碳膜的纳米硬度.详细研究了基片偏压对碳膜的结构、摩擦磨损特性以及纳米硬度的影响,得到了最佳基片偏压.

研究基片温度(120～300 ℃)和热处理温度(400℃)对电子束蒸发TiO₂薄膜的结构和光学性能的影响.XRD分析表明,在120 ℃, 200 ℃和300 ℃的普通玻璃基片上采用电子枪加热蒸发制备的TiO₂薄膜具有非晶态结构,沉积态薄膜经过400 ℃保温1 h的热处理后得到的相为具有(004)取向的锐钛矿相,晶粒大小在3.6～8.1 nm之间.透射谱分析表明,薄膜的折射率随着基片温度的升高而增加;热处理后,薄膜的折射率也相应提高,其原因来自于薄膜的晶化.
?丶剩?/strong>氧化钛薄膜;电子束蒸发;薄膜结构

运用离子溅射沉积技术制备光学增透膜,着重研究离子溅射技术对制备的薄膜性能的影响, 包括表面形貌、 折射率、薄膜弱吸收、薄膜结构等性能,分析离子溅射技术的特点及制备薄膜的局限性。