作者单位
摘要
1 中国传媒大学 信息与通信工程学院,北京 100024
2 中国传媒大学 数据科学与智能媒体学院,北京 100024
非线性频率转换是非线性光学中的重点研究内容之一,本文将Gosper分形与Z分形两种超晶格结构引入非线性光子晶体中,理论分析了两种超晶格结构经过准相位匹配进行非线性频率转换的谐波特点。Gosper分形超晶格的倒空间结构整体旋转60°后,依然能够和原图形重合;在准相位匹配的条件下,能够在六个不同方向实现相同的倍频波长输出;在级联三倍频中,实现了波长为711.3 nm、554.7 nm、491 nm的三倍频输出,并理论计算了其偏离角度。在二维Z分形的傅里叶空间中,充分利用了高阶横向倒格矢,能够实现基波波长范围为1.402 μm~1.430 μm的二次谐波频率转换,其中波长间距最小仅有1 nm。最后,为三维Z分形超晶格结构晶体的制备提供了数据支持。
非线性光学 频率转换 准相位匹配 分形超晶格结构 倒易矢量 Nonlinear optics Frequency conversion Quasi-phase matched Fractal superlattice structure Reciprocal vector 
光子学报
2023, 52(11): 1126002
作者单位
摘要
中国传媒大学理工学部, 北京 100024
提出一种在非线性光子晶体中实现非线性衍射高阶次谐波的方案。基于观察到的多个锥形四次谐波,理论分析了实现五次谐波和六次谐波的可行性。当仅有一种激光光束入射到非线性光子晶体中时,可观察到红、绿和蓝锥形光的同时输出,这可为环形三基色、连续环形谐波以及环形白色光源的实现提供参考。其中,蓝色锥形光波可能源于有倒易矢量参与的级联五次非线性衍射谐波过程。同一基频波长下非线性切伦科夫五次谐波的辐射锥角均大于低阶次谐波的辐射角,且不同基频波长下的非线性切伦科夫五次谐波存在最小的辐射锥角。当入射基频波长为3319.5 nm时,五次谐波中e光的形成过程为非线性布拉格衍射,这可为六次非线性衍射谐波的产生提供有利条件。
非线性光学 高阶次谐波 非线性光子晶体 非线性衍射 分形超晶格结构 非线性切伦科夫辐射 
中国激光
2019, 46(2): 0208001
作者单位
摘要
北京工业大学 电子信息与控制工程学院,光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京 100124
基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺流片后进行封装测试。测试结果显示,具有超晶格雪崩区的电子倍增型APD器件,其暗电流可以控制在纳安级,光电流增益达到140,证明具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管具有很好的光电探测性能。
超晶格结构雪崩光电二极管 离化率 信噪比 探测率 super-lattice avalanche photodiode ionization rate signal to noise ratio detectivity 
半导体光电
2017, 38(5): 653
作者单位
摘要
中国传媒大学 理工学部, 北京 100024
根据超晶格结构的激光衍射图, 提出了一种定量确定倒易矢量分布的实验方法.首先, 将正方形周期超晶格结构作为参考光栅, 得到其衍射图.根据傅里叶光学理论, 计算出基本倒易矢量的大小, 与衍射图上的几何长度建立标尺关系.通过引入矩形超晶格结构, 证明了该方法在周期超晶格结构中的可行性.其次, 将H型和谢尔宾斯基分形超晶格结构作为光栅, 获得的衍射图与正方形结构衍射图进行对比.由衍射点间的几何长度比值, 推算出分形衍射图中的倒易矢量分布.根据倒易矢量和准相位匹配谐频的基频波长之间的定量关系, 理论计算出能够进行的谐频波长.最后, 实验制备分形结构LiNbO3非线性光子晶体, 探测准相位匹配倍频, 所实现的倍频波长与理论计算值相吻合.谢尔宾斯基分形结构光栅在理论与实验上均可实现1.352 μm的有效倍频输出.
非线性光学 非线性光子晶体 准相位匹配谐波 衍射 超晶格结构 Nonlinear optics Nonlinear photonic crystal Quasi-phase matching harmonics Diffraction Superlattice structure 
光子学报
2015, 44(5): 0506001
作者单位
摘要
重庆光电技术研究所, 重庆 400060
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/ GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化, 获得了高质量的外延材料。
大应变 微带超晶格结构 量子阱红外探测器 InGaAs/GaAs InGaAs/GaAs highly strained mini-band supper-lattices QWIP MOCVD MOCVD 
半导体光电
2013, 34(2): 221

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