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当前目录 第43卷 第4期
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期刊基本信息
创刊:
1981年 • 季刊
名称:
光电子技术
英文:
Optoelectronic Technology
主管单位:
信息产业部
主办单位:
南京电子器件研究所
主编:
陈向真
ISSN:
1005-488X
刊号:
CN 32-1347/TN
电话:
025-86858163
邮箱:
联系
地址:
南京中山东路524号(南京1601信箱)
邮编:
210016
定价:
30元/期
本期栏目 2000, 20(3)
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光电子技术 第20卷 第3期
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参考文献
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千年之交的平板显示技术和市场
朱昌昌
作者单位
摘要
信息产业部电子第五十五研究所,国家平板显示工程技术研究中心,南京 210016
论述了新千年开始时的平板显示,包括LCD、PDP、OLED、FED等的市场和技术的最新发展
平板显示
综
flat panel display
LCD
LCD
PDP
PDP
OLED
OLED
FED
FED
market
revie
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光电子技术
2000, 20(3): 157
SID’00国际信息显示年会简介
李青
张旭苹
作者单位
摘要
东南大学电子工程系,南京,210096
介绍了2000年国际信息显示年会(SID’00)的概况及平板显示技术的发展状况
显示技术
液晶显示
等离子体显示
微显示
发光显示
flat panel display
LCD
PDP
microdisplay
luminescence displa
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光电子技术
2000, 20(3): 165
广义扭曲向列液昌显示器件的理论计算
冯治兴
作者单位
摘要
句容骏升显示技术有限公司,江苏句容,212400
本文在A.Lien工作的基础上,从广义扭曲向列液晶显示器件的光学特性入手,阐明了TN、HTN和STN-LCD的设计计算
广义扭曲向列液晶显示
扭曲向列型
高扭曲向列型
超扭曲向列
general nematic liquid crystal display
twisted nematic(TN)
high twisted nematic(HTN)
super twisted nematic(STN
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光电子技术
2000, 20(3): 174
实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺
曾祥斌
徐重阳
王长安
饶瑞
[ ... ]
周雪梅
作者单位
摘要
华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法,在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,I
on
/I
off
从10
3
量级增加到10
5
量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短
多晶硅薄膜
氢化工艺
薄膜晶体管
氢化机
poly-Si thin film
hydrogenation mechanism
TFT
hydrogenation technique
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光电子技术
2000, 20(3): 179
军用平板显示器设计方法的研究与探讨
余雷
作者单位
摘要
南京电子器件研究所,南京,210016
为了满足平板显示器(FPD)能在恶劣环境条件下正常工作,必须对显示器的各部分按照环境试验条件进行加固处理。在制定加固型平板显示器设计方案时,重点是围绕可靠性设计、抗冲击振动及三防(防潮、防尘、防腐)、宽温工作设计、电磁兼容(EMC)设计、抗核加固等五方面进行
平板显示器
加固
可靠性
抗冲击振动
电磁兼容
宽温工
FPD
ruggedization
reliability
anti-shock and vibration
EMC
wide range of temperatur
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光电子技术
2000, 20(3): 184
亮度比对法测LCD模块电光参数
刘忠安
作者单位
摘要
国家平板显示工程技术研究中心,南京电子器件研究所,南京210016
分析了通过控制直流工作电压来测量LCD模块电光参数的测量方法,并进一步提出了一种亮度比对测量法,可更方便地用一般的LCD测量系统来测量LCD模块的电光参数。它适用于用任何方法(包括佳化幅值选择寻址法)驱动的LCD模块电光参数的测量
LCD模块
电光参数
工作电压控制法
亮度比对
LCD module
electric-optical parameters
operating voltage controlled method
luminosity-compared metho
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光电子技术
2000, 20(3): 192
PDP单元真空紫外辐射的测量
金玉丰
1
朱昌昌
2
王绪丰
2
作者单位
摘要
1
北京大学微电子所,北京,100871
2
南京电子器件研究所,南京,210016
讨论了彩色PDP显示单元工作时VUV的测试原理与方法。通过建立以真空紫外光谱仪和电信号处理接口为核心的专用测试系统,实现了对AC-PDP显示样板的VUV强度和分布进行动态测试。在不同工作压强下,进行了Ne、Xe混合气体PDP显示单元工作状态的测试,得到了VUV辐射曲线,147 nm、152 nm和173 nm三条VUV辐射相对强度的典型值是:30∶12∶13
等离子体显示板
真空紫外
测
plasma display panel
vacuum ultraviolet
measurement
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光电子技术
2000, 20(3): 196
热敏液晶聚合物彩色图像显示器
史永基
1
史建军
2
史红军
3
作者单位
摘要
1
洛阳工业高等专科学校,洛阳471003
2
武汉军械士官学校,武汉430064
3
洛阳中信公司自动化所,洛阳471003
描述了热敏液晶聚合物彩色图像形成和显示方法。在一定温度范围内,液晶聚合物能可逆地呈现透明与不透明光学态,使包含至少两种颜色的像素显示区域形成一个平面。显示器彩色区域内与彩色对应的像素可被选择,颜色的频谱传输中心位于被显示的各种颜色中,紧靠最长的波长。对被选中的像素加热,其最大不清晰度大于其它颜色像素的不清晰度
彩色图像显示器
色调平衡
热敏液晶聚合
color image display
color tone balance
thermosensitive liquid crystal polymer
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光电子技术
2000, 20(3): 201
GeSi/Si异质结红外摄像器
贾正根
作者单位
摘要
南京电子器件研究所,南京,210016
论述了单片512×512像素的GeSi/Si异质结红外摄像器。它的工作原理和PtSi/Si肖特基势垒红外摄像器一样。制造GeSi/Si异质结采用分子束外延法,在Si片上生长GeSi膜。该膜有理想的应力。文章评价了Ge成份、掺杂浓度、GeSi膜厚和光谱响应的关系。研究表明器件的最佳工作波长为8~12 μm
肖特基势垒
GeSi异质结
红外摄像器
光谱响应
量子效
Schottky barrier
GeSi heterojunction
infrared-image sensor
spectral response
guantum efficenc
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光电子技术
2000, 20(3): 207
光互连研究进展
何伟君
林子扬
梁国栋
作者单位
摘要
暨南大学物理系光电技术实验室,广州,510630
光互连在高度并行、高速、大容量的数字系统和智能计算等领域显示了卓越的潜能。文章首先比较了在超大规模集成系统(VLSI)中光互连和电互连的优劣,总结了各种类的光互连及近年取得的新进展,并分析了光互连遇到的困难和未来前景
光互连
光计算
光纤
全息
optical interconnection
optical computing
VLSI
VLSI
optical fibre
hologra
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光电子技术
2000, 20(3): 213
隐身进攻**威胁及光电对抗研究
谭显裕
作者单位
摘要
华中精密仪器厂,湖北枝城,443304
采用隐身技术和低可见性技术的隐身进攻**并非不可探测,其中采用常规的长波低频雷达可以探测低可见性威胁目标,采用激光雷达技术、光电探测技术和雷达组网技术等均具有探测隐身目标的能力
隐身进攻**
低可见性**
常规雷达
激光雷达
光电探测
对
hiding weapons
low visibility weapons
conventional radar
laser radar
optoelectronics detection
countermeasures
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光电子技术
2000, 20(3): 219
平板显示周边相关技术(一)
滕鹤松
金永明
作者单位
摘要
南京电子器件研究所,国家平板显示工程技术研究中心,南京,210016
平板显示器件的周边相关技术正随着平板显示技术的发展而迅速地发展起来,如各种平板显示器专用的控制、驱动IC(集成电路),平板电源,平板音响,电磁兼容,触摸屏等技术及关键器件、材料正成为业内热点技术和产品。目前,国内的平板显示器(除低档液晶屏外)及其周边相关技术产品市场,基本上被国外的几家跨国公司所控制,国内开发生产的几乎为零
平板显示器件
专用IC
平板变压器
平板扬声器
电磁兼容
触摸
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光电子技术
2000, 20(3): 227
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