期刊基本信息
创刊:
1981年 • 季刊
名称:
光电子技术
英文:
Optoelectronic Technology
主管单位:
信息产业部
主办单位:
南京电子器件研究所
主编:
陈向真
ISSN:
1005-488X
刊号:
CN 32-1347/TN
电话:
025-86858163
邮箱:
地址:
南京中山东路524号(南京1601信箱)
邮编:
210016
定价:
30元/期

本期栏目 2009, 29(2)

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光电子技术 第29卷 第2期

作者单位
摘要
南开大学 光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 天津 300071
提出一套以大规模现场可编程门阵列(FPGA)-EP1C12Q240C8为控制核心,对静态存储器实行乒乓操作,实时处理解码后来自显卡数字视频接口(DVI)的信号及产生相应控制信号,以实现驱动薄膜晶体管(TFT)显示屏的实时动态图像显示的方案,并成功验证了该驱动方法的可行性。该系统对于驱动不同类型的TFT液晶或OLED显示屏,只需根据具体的屏编写相应的软件和增加少量的接口电路就可以实现,具有多用途、可复用的特点。关键词: 大规模现场可编程门阵列; 乒乓操作; 薄膜晶体管显示屏; 可复用
FPGA Ping-Pang operating Manner TFT-screen IP-Repeatability 
光电子技术
2009, 29(2):
作者单位
摘要
北京化工大学 物理系,北京 100029
利用传输矩阵理论研究了形式为(AB)m(ABBA)n(BA)m一维对称光量子阱结构的传输特性。研究结果表明:一维光量子阱垒区和阱区不同周期数、介质A和介质B不同高低折射率比都会对该结构的禁带宽度和透射率影响很大,而选取不同的中心波长又会影响光量子阱的带隙位置。为了制作更精密的光学开关、光滤波器等光学器件,综合考虑这些因素的影响是十分必要的。
光子晶体 光量子阱 传输矩阵 透射谱 photonic crystal photonic quantum-well transmission matrix method transmission spectrum 
光电子技术
2009, 29(2): 102
作者单位
摘要
曲阜师范大学 计算机科学学院,山东 日照 276826
利用像素点的颜色坐标RGB构建像素的颜色三角形,计算该三角形的周长和内角。将周长和内角作为像素点的信息量的度量。通过像素点在相关邻域上的信息量的计算,确定该像素点是否为彩色图像的边缘点。这种边缘检测方法,在一定程度上合理地考虑了个各颜色分量的相关性,将向量空间的计算以自然的方式转换成了标量的计算,在思想上是一种不同于其他算法新的算法。实验结果表明,与传统方法相比,该方法能检测出更多的边缘,并且算法实现简单,检测出的边缘清晰。
彩色图像 边缘检测 颜色三角形 颜色相关 彩色信息量 color image edge detection color triangle correlation in color color information quantity 
光电子技术
2009, 29(2): 106
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司 第五十五研究所,国家平板显示工程技术研究中心,南京 210016
在完成了107 cm WVGA彩色等离子体显示(PDP)屏及模块研究和开发的基础上,又进行了对角线为64 cm、单元节距为0.63 mm×0.63 mm、分辨率为SVGA(800×600)的彩色PDP显示屏的工艺及模块电路的研究和开发。在适合高分辨显示的彩色PDP显示屏和模块电路方面进行了努力,开发出具有SVGA物理分辨率的64 cm彩色PDP显示屏和模块。
彩色等离子体显示 高分辨率 color plasma display panel high resolution SVGA SVGA 
光电子技术
2009, 29(2): 110
作者单位
摘要
辽宁葫芦岛91245部队,辽宁 葫芦岛 125001
为提高液晶器件的响应速度,介绍了一种基于聚合物/液晶(预应力液晶)的结构与制作工艺,其响应速度可达毫秒级。对制作过程中预应力液晶结构(液晶微滴的尺寸和形状)与制作工艺条件(聚合物含量、紫外曝光光强、聚合温度)的关系进行了分析,并建立了预应力液晶的简易模型,给出了其响应时间与液晶微滴的尺寸和剪切比之间的关系。结果证明这种模型与实验结果基本相符。
聚合物/液晶 响应速度 简易模型 polymer/liquid crystal response speed simple model 
光电子技术
2009, 29(2): 114
作者单位
摘要
1 茂名学院 物理系,广东 茂名 525000
2 广西大学 物理科学与工程技术学院, 南宁 530004
运用光学传输矩阵理论,研究了两端镜像对称缺陷层一维三元光子晶体的光传输特性,并比较了一维三元光子晶体与一维二元光子晶体的禁带特性。数值模拟结果得出:一维三元光子晶体的禁带明显宽于二元光子晶体;且在三元光子晶体两端加相同缺陷层后,禁带展宽的同时出现了多个窄的透射峰。考察了影响透射峰的主要因素,缺陷层的折射率越大,透射峰越尖锐;缺陷层的光学厚度在500 nm到800 nm范围内,缺陷层的光学厚度越大,透射峰越尖锐,且向长波方向移动;光子晶体的周期数越大,透射峰越尖锐,且透射峰的个数增加。这种结构可用来实现多通道窄带滤波器,通过调节各个参数可得到所需要的波长以及通道数目的窄带滤波器。关键词: 一维三元光子晶体; 两端缺陷层; 禁带展宽; 多通道滤波器
1D three element photonic crystal two defect layers at the two ports bandwidth extended multiple channel filters 
光电子技术
2009, 29(2): 117
作者单位
摘要
1 广东工业大学 物理与光电工程学院,广州 510006
2 浙江工业大学 信息工程学院,杭州 310014
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(004)面X射线衍射(XRD) ω-2θ和ω扫描半高全宽(FWHM)分别为373 arcsec和455 arcsec,在外延层中插入10周期Ga01In09P/InP应变超晶格后,其半高全宽分别下降为338 arcsec和391 arcsec。透射电子显微镜(TEM)测试显示,应变超晶格有效地抑制了失配位错穿进外延层,表明晶体质量得到了较大提高。
异质外延 低温缓冲层 应变超晶格 金属有机物气相外延 heteroepitaxy low temperature buffer layer strained layer superlattice MOCVD 
光电子技术
2009, 29(2): 122
作者单位
摘要
福州大学 场致发射显示技术教育部工程研究中心, 福州 350002
研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响。借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数。结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40~50 mJ/cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础。
表面传导电子发射显示器 光刻 旋涂 曝光剂量 前烘 SED lithography spin coating exposure dose prebak 
光电子技术
2009, 29(2): 125
作者单位
摘要
秦皇岛职业技术学院 机电工程系,河北 秦皇岛 066100
提出了一种基于FPGA实现的直流相位跟踪检测系统,分析了系统输出信号与输入信号保持同步的实现原理,并建立了基于FPGA的设计模型,进行了硬件仿真,确定了系统的采样率,最后通过实验验证了此FPGA系统可实现相位实时检测,误差为02%,证明了此系统可满足干涉式光纤电压传感器对相位检测的性能要求。
现场可编程门阵列 相位跟踪 采样率 FPGA phase tracking sample rate 
光电子技术
2009, 29(2): 135
陶珺 1,2杜平 2
作者单位
摘要
1 武汉理工大学 理学院物理系,武汉 430070
2 武汉理工大学 光纤传感技术与信息处理教育部重点实验室,武汉 430070
从理论上分析了线阵InGaAs光电探测器阵列在采用光谱成像技术的光纤光栅传感解调系统中的的成像原理,在此基础上,对日本滨淞光子公司生产的G9212 型号的线阵InGaAs结构、工作方式等光电信号处理过程进行讨论。针对该型号的光电探测器阵列设计了使其正常工作的驱动时序电路,并用Verilog HDL 语言进行模块描述和CPLD实现驱动时序电路的仿真。实验结果表明,设计符合光纤光栅传感解调系统中线阵InGaAs实际工作需要。
线阵InGaAs 驱动时序电路 InGaAs Verilog HDL Verilog HDL driving timing circuit 
光电子技术
2009, 29(2): 138
作者单位
摘要
光电子技术
2009, 29(2): 143
作者单位
摘要
上海大学-广电电子平板显示联合工程技术中心
无机电致发光平板显示是重要的平板显示技术之一。总结了最近几年国际上无机EL领域理论研究和产品开发方面的研究进展,分析了当前无机EL产业状况、国内外存在巨大技术差距以及国内一些单位在产业化方面的努力相继失败的原因,指出了无机EL领域一些重要的科学与技术问题,并提出自己的看法。
无机电致发光显示 技术进展 产业现状 inorganic electroluminescent display research progress current status in production 
光电子技术
2009, 29(2): 73
作者单位
摘要
1 上海大学 理学院物理系,上海 200444
2 昆明物理研究所,昆明 650223
3 武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
报道了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,Br2-CH3OH与HgCdTe化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdTe光伏器件电学特性的影响。
X射线光电子能谱 表面钝化 阳极硫化 HgCdTe HgCdTe XPS surface passivation anodic sulffide 
光电子技术
2009, 29(2): 82
作者单位
摘要
1 吉林大学物理学院,长春130023
2 韩国国立教育学院物理系,Chung-buk 361791,韩国
几十年来光纤传感器一直是重大研究课题之一,光纤光栅传感器的出现给光纤传感器带来新的技术突破。交叉敏感问题是光纤光栅传感技术的关键问题。简述了光纤光栅应变-温度传感器的发展。从理论上分析了光纤光栅温度、应变同时测量的物理机制,提出一种基于取样光纤光栅来实现应变和温度同时测量的方法。
取样光纤光栅 温度 应变 同时测量 sample fiber grating temperature strain simultaneous measurement 
光电子技术
2009, 29(2): 89
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 流体物理研究所,四川 绵阳 621900
针对高能闪光照相系统成像质量较差的特点,提出了一种基于参数活动轮廓模型(Snake模型)的闪光照相图像分割算法。该算法在传统高斯力Snake模型中引入包含图像区域信息的变力,以目标和背景两区域具有最小方差为准则,构建兼顾边缘和区域信息的外部能量函数。数值实验结果表明,该算法对初始轮廓位置不敏感,较好地解决了客体凹陷区域分割问题,能够实现对含噪声的弱边界闪光图像的自动分割。
高能闪光照相 最小方差 图像分割 参数活动轮廓模型 flash X-ray radiography minimum variation image segmentation snake model 
光电子技术
2009, 29(2): 92
作者单位
摘要
1 曲阜师范大学 数学科学学院
2 曲阜师范大学 计算机科学学院,山东 日照 276826
分析文献[1]给出的算法。针对其中存在的问题和不足,给出了一个改进算法。实验结果表明,改进算法弥补了原文算法中的缺陷,在获取连续边缘的同时也较好地抑制了噪声,在运算效率方面有了明显的提升,并节省了大量的内存空间。
梯度幅值 阈值 边缘检测 自适应 gradient magnitude threshold edge-detection automatic adaptation 
光电子技术
2009, 29(2): 98