具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性
1 引言
随着光电子技术的发展,HgCdTe光电探测器在**和国民经济的各个领域都有广泛的应用。光电探测器一般工作在线性响应区,其输出信号与入射光强成正比,当入射光强超出光电探测器线性工作范围后,器件出现饱和效应,噪声限制了器件所能探测的最小光功率,饱和限制了器件所能探测的最大光功率。研究者们在致力于研究如何降低线性工作范围下限实现微弱信号探测的同时,也在研究如何提高线性工作范围上限。但由于空间电荷效应[1-3]和热效应等因素,光电探测器很难直接探测大功率的入射光。
大功率入射光辐照光电探测器,当入射光产生的非平衡少数载流子浓度接近或者超过原来的平衡状态下的多数载流子浓度时,耗尽区内的光生载流子浓度非常高,由于空穴的迁移率比电子的迁移率低,残留在耗尽层中的大量空穴产生了空间电荷效应,降低PN结的内建电场,使得PN结达到电子-空穴对的分离上限,输出电流出现饱和。所以,提高光电探测器的工作范围上限,使其承受更大功率的入射光,需要减弱大注入下空穴堆积引起的空间电荷效应,从而减少空间电荷效应对结区电场的干扰。研究者们提出多种器件结构来减少或消除空间电荷效应,如采用分布或边耦合结构,通过减少光生载流子的漂移空间距离来降低光电探测器的空间电荷效应[4-5];通过将p型高掺杂吸收层与收集层分离,使电子成为单行载流子,减少空穴堆积引起的空间电荷效应[6]。
由于组分梯度产生的内建电场可以影响载流子的分布和运动[7-8],本文将组分梯度产生的内建电场引入HgCdTe探测器设计中,将PN结制备在HgCdTe外延薄膜材料的高Cd组分端,利用组分梯度产生的内建电场对电子和空穴产生电场力,影响结区附近的光生载流子运动,探索降低空间电荷效应的方法。本文通过对制备在不同组分梯度下的器件变温响应光谱和变温响应率分析,研究组分梯度产生的内建电场对光生载流子运动的影响,并提出一种大注入下提高器件饱和阈值的设计思路。
1 具有组分梯度的HgCdTe外延薄膜材料
HgCdTe是三元系合金半导体(Hg1-xCdxTe),其禁带宽度等光电参数会随着材料的组分发生变化,所以具有组分梯度的HgCdTe外延薄膜材料体内的组分分布会引起能隙带边的偏移,使得HgCdTe中存在一个由渐变带隙形成的内建电场。
为了获得HgCdTe外延薄膜材料组分梯度信息,可以利用多层模型和膜系传递矩阵对材料的红外透射光谱进行拟合,提取材料内纵向组分分布曲线,本文中采用的组分分布模型为[9-10]:
图 1. HgCdTe外延薄膜材料(a)透射光谱的拟合曲线 ,(b)Cd组分的纵向组分分布曲线
Fig. 1. HgCdTe epitaxial material (a) transmission spectrum and theoretical fitting line, (b) longitudinal composition profile of Cd concentration
HgCdTe外延薄膜材料在z方向上的Cd组分分布会引起禁带宽度在z方向上的变化,进而会产生内建电场:
其中,Eg是禁带宽度,Eg与组分、温度的关系采用Hansen-Schmit提出经验公式计算[11],q 是单位电荷。
2 实验
等温气相外延生长是利用CdTe和HgTe的互扩散形成具有组分梯度的HgCdTe薄膜,其生长原理决定了所生长的材料存在着较大的纵向组分梯度。实验中样品A和样品B采用等温气相外延技术在CdZnTe衬底上生长P型Hg1-xCdxTe薄膜外延材料,300 K下汞空位掺杂的浓度为1×1017 cm-3,通过红外透射光谱测试获得的样品A和样品B的x分别为0.32和0.316,
图 3. 样品A和样品B (a) Cd组分纵向分布,(b)组分梯度产生的内建电场分布
Fig. 3. Sample A and sample B (a) longitudinal composition profile of Cd, (b) distribution of built-in electric field
实验将PN结制备在HgCdTe外延材料的高组分端,即外延薄膜材料和CdZnTe衬底的界面处,见
图 4. 器件制备位置示意图
Fig. 4. The schematic diagram of preparation position in epitaxial material
结合
图 5. 样品的处理过程 (a)HgCdTe 外延薄膜,(b)表面钝化,(c)贴片,(d)去除衬底
Fig. 5. The treatment process of sample (a)HgCdTe epitaxial layer,(b)passivating surface,(c)pasting onto sapphire,(d)removing substrate
器件采用常规的N-on-P型平面结构,通过硼离子注入在样品上形成N区,硼离子注入能量为100 keV,注入剂量为1.5×1014 cm-2,之后在热蒸发设备中生长CdTe/ZnS钝化膜1 000 Å/2 000 Å,接着完成开电极孔、金属沉积等一系列工艺,制备完成后,样品被封装在真空杜瓦中进行性能测试。
响应光谱测试在Varian公司的FTS3100型傅里叶光谱仪上完成,样品在900 K黑体下进行响应率测试。通过杜瓦中的铂电阻确定样品温度,并采取液氮下自然升温的方法进行不同温度点的响应光谱和响应率测试。
3 结果和讨论
3.1 归一化响应光谱
图 6. 115 K、215 K和300 K的归一化响应光谱(a)样品A,(b)样品B
Fig. 6. Normalized response spectra at 115 K, 215 K and 300 K (a) sample A, (b) sample B
除了干涉峰差异外,还可以观察到样品A在短波方向有比较大的响应,是因为短波光子在样品A表面处产生的大量光生载流子,在非线性组分分布产生的内建电场作用下,加速向下方的结区漂移,减少了表面复合[13-14],提高了短波方向的响应。通过样品A和样品B光谱差异可推断,样品B表面所处的线性组分分布产生的内建电场并未形成对表面光生载流子的有效加速。
另外,两个样品的归一化响应光谱在115 K、215 K和300 K下随温度的变化趋势也是不一样的。
为了清楚认识样品A和样品B中组分梯度产生的内建电场对响应光谱的影响,
图 8. 不同温度下的组分梯度产生的内建电场分布
Fig. 8. Built-in electric field generated by composition gradient at different temperatures
3.2 响应率
组分梯度产生的内建电场会影响器件中光生载流子在空间上的分布和运动,进而影响器件的响应率。
由此可见,通过温度调控组分梯度产生的内建电场,影响光生载流子运动,可以达到降低结区内光生载流子浓度和提高结区内空穴漂移速度的目的,对大注入下降低空间电荷效应是有利的,为提高HgCdTe器件的饱和阈值提供了一种新的设计思路。
4 结论
本实验通过不同界面处理时间,将PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端,研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。通过不同温度下光电性能测试,发现两个样品的光电性能随温度的变化趋势不同。计算不同温度下两个样品中组分梯度产生的内建电场,结果表明样品A中非线性组分分布产生的内建电场对光生载流子运动的影响是引起光电性能差异的主要原因。通过响应率的变温曲线分析,说明将PN结制备在非线性分布区的高Cd组分端,随着温度降低,逐渐增强的内建电场使得样品响应率呈现了三种不同的变化趋势,实现了对光生少子运动的改变。通过温度调控Cd组分非线性分布产生的内建电场,可以降低结区内光生载流子浓度和提高结区内空穴漂移速度,有利于降低空间电荷效应,为大注入下提高HgCdTe探测器的饱和阈值提供了一种新的设计思路。
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