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具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性
徐国庆 *王仍 陈心恬 储开慧 [ ... ]李向阳 
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083
PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端，研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。计算不同温度下组分梯度产生的内建电场，结果显示Cd组分线性分布产生的内建电场在100～200 V/cm，而Cd组分非线性分布使得样品表面薄层的内建电场高达2 000 V/cm，推测组分梯度产生的内建电场对光生少子运动的影响是引起两个样品光电性能差异的主要原因。通过分析样品响应率随温度的三种不同变化趋势，提出利用温度调控组分梯度产生的内建电场，有利于降低空间电荷效应，为大注入下提高HgCdTe探测器的饱和阈值提供了一种新的设计思路。
组分梯度 内建电场 HgCdTe外延薄膜材料 归一化响应光谱 响应率 component gradient built-in electric field HgCdTe epitaxial material normalized response spectrum responsivity 
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红外与毫米波学报
2023, 42(3): 285
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