河南大学物理与电子学院计算材料科学研究所,开封,475004
采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-311G水平上对Al2Ben(N=1～12)团簇的各种可能构型进行几何结构优化和频率分析,得到了团簇的最低能量结构.并对Al-Be最近邻键长,平均结合能,二阶能量差分,能隙和Al原子的电子位形进行了讨论.结果表明:Al原子掺杂对纯Be团簇结构影响不大:Al-Be最近邻键长和团簇的平均结合能随N的增加表现出了不同的变化趋势;Al原子的化合价出现了由一价到三价的变化;N=7是团簇的幻数.
Al2BeN(N=1～12)团簇 最低能量结构 稳定性 电子特性 原子与分子物理学报
2008, 25(2): 308
1 河南大学物理与电子学院理论物理研究所,开封,475004
2 华东理工大学理学院,上海,200237
基于密度泛函理论(DFT), 我们研究了SinB(n=1～12)团簇的稳定性. 结果表明: SinB的基态构型是在Sin-1B的基态或亚稳态构型上带帽一个Si原子而得到; 随着团簇尺寸的增大, B原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内; 掺杂B原子提高了纯硅团簇的稳定性; 电子总是从Si向B转移, B原子所带的电荷数不仅与B原子的配位数有关, 还与SinB团簇的基态结构密切相关.
SinB团簇 稳定结构 电子性质 原子与分子物理学报
2007, 24(z1): 91
