内蒙古工业大学 理学院物理系， 内蒙古 呼和浩特010051
以Zener模型为基础，考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响，理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数，对GaAs∶TM(Ga,TM)As (TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到：n型半导体居里温度有一个极大值，而p型掺杂是单调的递增。
稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用 diluted magnetic semiconductor Curie temperature dope concentration anti-ferromagnetic exchange
