1 内蒙古工业大学 理学院, 内蒙古 呼和浩特 010051
2 上海海事大学 文理学院, 上海 201306
3 乌兰察布广播电视台, 内蒙古 集宁 012000
为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响, 采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜。将生长后的样品分成两部分, 其中一部分进行了退火处理。对退火前后的样品用高分辨X射线双晶衍射仪测量了(400)晶面的X射线双晶衍射摇摆曲线, 用傅里叶红外光谱仪测量了红外透射率和吸收谱, 并用霍尔效应仪测量了退火前后样品的载流子浓度、迁移率、电阻率、电导率和霍尔系数。结果表明, 退火后的薄膜质量明显提高。退火后大部分区域吸收增大, 透射率明显减小,615～3 730 cm-1区间的透射率均比退火前降低了20%以上。退火后的体载流子浓度增大到退火前的23.26倍, 迁移率增大到退火前的27.82倍。
硅基锗薄膜 红外吸收谱 载流子浓度 迁移率 电导率 silicon based germanium thin film infrared absorption spectrum carrier concentration mobility conductivity
内蒙古工业大学 理学院物理系, 内蒙古 呼和浩特 010051
考虑外加磁场、压力及屏蔽效应, 利用变分方法数值计算GaN/AlxGa1-xN无限深量子阱系统中的杂质态结合能。给出结合能随磁场和阱宽的变化关系, 同时讨论了有无屏蔽时的区别。结果表明: 在磁场和压力作用下, 结合能随阱宽的增大而减小; 阱宽和压力一定时, 结合能随磁场的增大而增大。屏蔽效应使得有效库仑吸引作用减弱而导致杂质态结合能显著下降。屏蔽效应对结合能的影响随压力增大而增强, 随磁场强度增大而减弱。
量子阱 压力 外磁场 屏蔽 结合能 quantum well pressure external magnetic field screening binding energy
内蒙古工业大学理学院 物理系， 内蒙古 呼和浩特010051
对GaAs/AlxGa1-xAs和GaN/AlxGa1-xN无限深量子阱系统，考虑压力及屏蔽效应，利用变分方法数值计算这两种系统中的杂质态结合能。给出了结合能随阱宽和压力的变化关系，同时讨论了有无屏蔽时的区别。结果表明，结合能随压力增大而增大，随阱宽增大而减小；屏蔽效应随着压力的增加而增加，并且显著降低了杂质态的结合能。
量子阱 压力 屏蔽 结合能 quantum well pressure screening binding energy
内蒙古工业大学 理学院，内蒙古 呼和浩特010051
分析了光纤制造中产生折射率中心凹陷的原因，建立了折射率中心凹陷GIF (渐变折射率光纤)模型，应用射线光学方法得出了光纤传输的时间延迟、自聚焦周期的表达式，数值模拟了中心凹陷GIF的自聚焦周期和时间延迟。仿真结果表明: 随着凹陷宽度和凹陷深度的增大，GIF中光束的自聚焦效应变差，时间延迟差增大。
光纤光学 色散特性 射线光学方法 多模光纤 中心凹陷 fiber optics dispersion characteristics ray optical method multimode fiber central dip
内蒙古工业大学 理学院物理系， 内蒙古 呼和浩特010051
以Zener模型为基础，考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响，理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数，对GaAs∶TM(Ga,TM)As (TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到：n型半导体居里温度有一个极大值，而p型掺杂是单调的递增。
稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用 diluted magnetic semiconductor Curie temperature dope concentration anti-ferromagnetic exchange
