研究了倒置器件结构以及CdSe量子点发光材料与金属纳米粒子之间的相互作用对量子点的电致发光性能的影响。利用TiO2作为电子传输/注入层，成功地制备了倒置结构的量子点电致发光器件。通过对单载流子器件电压-电流特性的分析，证明了ITO作为阴极到TiO2的电子注入特性与Al作为阴极时的效果几乎相同。观察到金属纳米粒子产生的局域等离子体效应提高了器件的效率，使得效率随电流增大而降低的速度明显减小。在电流密度为200 mA/cm2时，电致发光器件的效率大约提高了42%。

采用溶胶-凝胶法制备了含有不同Yb3+,Er3+掺杂浓度的BaGd2ZnO5上转换发光材料，测量了这些样品在不同激发光密度下的上转换光发射功率及上转换效率。实验结果表明: 在不同激发光密度下，所有样品的光发射功率都存在极大值，其中Yb3+掺杂摩尔分数为4%，Er3+掺杂摩尔分数为1%时样品的最大发射光功率可达20 mW; 样品的上转换绝对效率也存在极大值，随着Yb3+和Er3+浓度增加，绝对效率的极大值向较低激发光密度方向移动，在Yb3+掺杂摩尔分数为9%，Er3+掺杂摩尔分数为3%时样品的上转换效率达到最高，绝对效率为3.2%，极值效率最大值为6.9%。

采用高温固相法制备了CaAl2O4∶Eu2+，Gd3+ 长余辉发光材料。利用X射线衍射(XRD)和荧光光谱测试等手段对所制备的样品进行结构表征和发光性能的分析，探究Eu2+摩尔分数为3.5%，硼酸质量分数为0.5%，Gd3+摩尔分数分别为2%，3%，4%，5%时样品的发光性能。研究结果表明: 实验成功地合成了CaAl2O4∶Eu2+,Gd3+粉晶，并且Eu2+和Gd3+的引入并未引起CaAl2O4晶体结构的改变。样品的激发光谱和发射光谱均为宽带谱，且发射光谱的最大峰值位于444 nm左右,属于Eu2+的4f65d→4f7跃迁，所发光为蓝光。蓝色荧光粉CaAl2O4∶3.5%Eu2+,3%Gd3+的发光强度最好。

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂，采用水热合成方法在160 ℃下合成水溶性CdTe量子点。研究了不同反应时间及反应前驱体溶液的不同pH值对合成的CdTe量子点光学性质的影响。结果表明: 所制得的CdTe量子点的荧光发射波长在510～661 nm范围内连续可调，并且CdTe量子点的光学性质强烈地依赖于反应前驱体溶液的pH值，最佳pH值为9。透射电子显微镜和X射线衍射分析表明所制备的CdTe量子点的形状接近于球形，粒径分布较均匀。与回流方法制备的水溶性量子点相比，高温条件下的水热合成方法简单，反应时间短，CdTe量子点生长速度快，100 min就可生长到3.5 nm，并且所制得的CdTe量子点荧光强度高，稳定性好，荧光量子产率也较高，最高可达44.6%。

在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中，生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO2介质层非常关键。我们使用高效率LaB6离子源辅助，在低放电电流条件下，在GaAs衬底上沉积了SiO2，并对退火的应力影响进行了测试。在有离子辅助沉积时，对不同生长速率、不同厚度的应力影响进行了研究，对沉积过程进行了分析。结果表明: 离子辅助沉积的SiO2薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力，且退火后应力变化小。

采用化学气相沉积法制备了纳米棒状的氧化锌纳米结构薄膜和没有纳米棒的氧化锌薄膜, 通过直流溅射在所制备的有纳米棒和没有纳米棒的氧化锌薄膜上淀积约3 nm厚的金纳米颗粒薄膜, 研究了金纳米颗粒对不同表面形貌氧化锌薄膜的发光特性的影响。实验发现金纳米颗粒的存在使具有纳米棒的氧化锌薄膜的紫外发射增强, 但使来自缺陷的可见光发射受到很大的抑制。通过比较有纳米棒和没有纳米棒的氧化锌薄膜在镀金纳米颗粒前后的发光特性, 发现金表面等离激元对氧化锌发光的调控取决于氧化锌的表面形貌, 纳米棒的存在更有利于金纳米颗粒等离激元调控氧化锌的发光特性。

利用电子束沉积技术首次制备了氟化铒 (ErF3) 掺杂的氧化铟(In2O3)透明导电薄膜(IEFO), 研究了薄膜的晶体结构、光学特性和电学特性。利用原子力显微镜测试了不同厚度薄膜的形貌, 初步研究了薄膜的生长过程。研究发现: IEFO薄膜为多晶结构, Er原子的掺入改变了薄膜的优势生长方向, 使薄膜在(211)、(222)、(444)3个方向上的生长趋势基本相同。薄膜电阻率为1.265×10-3 Ω·cm, 电子迁移率为45.76 cm2·V-1·s-1, 电子浓度为1.197×1020 cm-3, 在380~780 nm范围内的可见光平均透过率为81%。

合成了一种新型的室温天蓝色磷光发射材料双(2-二苯基磷苯基)醚碘合铜(Ⅰ)(［(POP)CuI］2)配合物。通过红外光谱、X-射线单晶衍射确定其分子结构, 并对其光电特性进行了详细研究。结果表明: ［(POP)CuI］2为二聚体结构, 主要吸收峰为227, 268, 291 nm, 最大发射峰为475 nm, 光学带隙为2.93 eV。以［(POP)CuI］2作为客体掺杂在主体CBP中作为发光层, 制备了结构为ITO/NPB(30 nm)/CBP∶［(POP)CuⅠ］2(30 nm, 8%)/BAlq(10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)的器件, 其电致发光峰为476 nm, 最大亮度为9 539 cd/m2, 最大电流效率为1.9 cd/A。

以Zn(Ac)2和(NH4)6Mo7O24·4H2O为原料, 分别以CTAB、SDS、PVP-K30作为辅助剂, 采用水热法合成了不同形貌和结构的ZnMoO4微晶。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及光致发光光谱(PL)等分析手段对所得材料的结构、形貌及发光性能进行了分析和表征。测试结果表明: 通过改变辅助剂的种类、用量和反应时间可以合成形貌可控的ZnMoO4微晶, 不同形貌的样品发光强度不同, 但发射中心均在565 nm左右。

以2,9-二正丁基-1,10-菲咯啉(dnbp)和碘化亚铜为原料, 在四氢呋喃溶液中反应合成了一种新型中性双核铜(Ⅰ)配合物［CuI(dnbp)］2。采用X射线单晶衍射、核磁共振氢谱、紫外-可见吸收光谱表征其结构, 荧光光谱测定其发光性能。结果表明: 该配合物分子由两个Cu(Ⅰ)离子通过两个碘离子桥联形成畸变的菱形Cu2I2核心和dnbp螯合配体构成, 配合物中I—Cu—I的夹角较小(106.08°), 两个Cu(Ⅰ)离子的距离很长(0.319 4 nm), 表明它们的相互作用可以忽略。上述结构的特征主要由dnbp配体大的空间位阻造成。配合物晶体属于三方晶系, 空间群为R-3, 晶胞参数a=4.404 14(11) nm, b= 4.404 14(11) nm, c=1.085 92(4) nm, γ=120°, V=18.241 1(9) nm3。配合物在二氯甲烷溶液中出现350～500 nm的吸收峰, 归属于金属离子到配体的电荷转移跃迁(MLCT)。室温下, 当激发波长为365 nm时, 其最大发射波长为653 nm, 发光寿命为3.1 μs, 光致发光量子产率为0.013。发光机制属于金属离子和卤素到配体电荷转移激发态的磷光发射。低温下, 配合物最大发射波长蓝移至645 nm, 发射峰变窄。