1 华北光电技术研究所，北京100015
2 河北工业大学，天津300000
清洗是混成式探测器芯片器件制造过程中的一道关键工序。探测器芯片表面所吸附的有机物沾污是清洗的主要目标。使用第一性原理与分子动力学相结合的方法研究了丙酮、乙酸乙酯对InSb晶面有机物沾污（主要成分为502）的清洗机理。第一性原理计算结果表明，丙酮与乙酸乙酯的分子反应活性位点均离域在杂原子上，两者可通过杂原子对吸附在InSb表面的502解吸附以达到清洗的目的。分子动力学模拟结果表明，乙酸乙酯可以促进丙酮分子在502膜层中的扩散能力，以此加强丙酮对502的去除作用。
清洗 混成式芯片 第一性原理 分子动力学 InSb InSb cleaning hybrid detector chip first principle theory molecular dynamics
在红外探测器铟柱蒸发的工艺试验中, 有需要测量大量铟柱高度的情况, 因此对铟柱高度测量方法进行了研究。手动逐点测量铟柱高度方式的结果较为准确, 但是测量速度比较慢, 消耗时间比较多。快速自动测量的方法使用了显微镜的扫描功能, 并利用图像识别技术来自动识别铟柱, 能够一次获取所有铟柱的高度, 所以测量速度很快。详细介绍了这两种方法的操作步骤和重要选项的设置。经过测算, 用快速测量方法测量1000个铟柱的高度只需要30分钟, 测量时间能够减少76%, 极大地提高了测量效率。最后分析了两种不同测量方法的优点和缺点。
红外探测器 铟柱 互连 高度测量 infrared detector indium columns bonding height measurement
随着红外技术的进步, 红外探测器组件向着更小尺寸、更高分辨率的方向发展。小像元间距、大面阵规格是长波探测器发展的重要方向。通过对10 m 像元间距、9 m截止波长、1280×1024阵列规格长波探测器的研究, 突破了10 m间距长波像元成结技术、10 m像元间距铟柱制备及互连技术, 制备了有效像元率大于等于994%、非均匀性小于等于4%的10 m间距长波1280×1024碲镉汞探测器芯片。
小间距 长波 碲镉汞 small pitch 1280×1024 1280×1024 long-wavelength mercury cadmium telluride
主要介绍了II类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3～5 m及7～9 m)对红外光的反射率，增强芯片的光响应率，从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计与制备工艺中的主要技术问题。根据探测器的使用环境对薄膜进行了相应的牢固性实验及测试。结果表明，此薄膜的光谱响应率和牢固度能充分满足探测器的要求。目前这项背增透薄膜制备工艺已是II类超晶格探测器生产中不可缺少的工艺步骤，应用前景良好。
双色红外探测器 II类超晶格 锑化镓 背增膜 dual-band infrared detector type-II superlattice GaSb back-adding film
