在激光诱导扩散等激光微细加工技术中,需要用聚焦激光束照射基片表面,以形成局部高温区。为使局部高温区的温度分布满足实验要求,对10.6 μm聚焦连续波CO2激光束照射下半导体基片的温度上升进行了数值计算。计算中考虑了基片材料对10.6 μm激光的吸收系数随温度的变化。计算得到了温度上升与基片预热温度、入射激光束功率及曝光面积等参数的关系。结果表明,基片初始温度为室温及激光焦斑直径小于100 μm时,激光照射形成稳定高温区的最高温度不超过600 K。增加基片初始温度,可以在建立满足要求的温度上升的同时,减小基片上高温区分布的面积。在同一初始温度下,在基片高温区分布的面积符合实验要求的前提下,应尽量使用较大的光斑尺寸和激光功率,从而使基片表面热斑的温度分布更易控制。

在半导体的激光微细加工技术里,微小曝光区域的温度分布是关键的工艺参数,必须得到精确的测量.而为了使温度测量不影响曝光区的温度分布,需采用不接触测量方法.研制了计算机温度测量系统,实现了微小激光曝光区温度的实时不接触测量.系统中,InGaAs/InP光探测器将微小高温区的温度信号转换为光电流,再经信号放大及模/数转换后输入计算机.结合温度定标实验,对测得的温度数据进行插值运算,在实验中可以实时显示出曝光区的温度值.系统的温度分辨率可达到0.2℃, 测量区域的最小直径可达到18 μm.同时设计了搜索算法,使温度数据采集和精密位移平台的移动相配合,实现了温度分布的测量和最高温度区的准确定位.

利用激光辅助合金的方法,生成InP表面AuGeNi-InP合金,并形成良好的欧姆接触,上下表面面间电阻为5.8 Ω.研究了合金工艺参量(如合金时间、合金温度、镀膜厚度等)对形成欧姆接触性能的影响.

提出一种表征(HgCd)Te探测器Franz-Keldysh效应有效强度的简易方法,即用(HgCd)Te探测器在反偏压及零偏压时的输出电压比来表征其Franz-Keldysh效应有效强度的强弱,实验结果证实了这种方法有效、可行.