近红外光谱及成像检测凭借其高效、无损、非接触等优点近年来被广泛应用于农林产品、食品检测等方面。该技术可快速获取样品光谱和图像信息，进而结合化学计量学、机器学习建模等对样品进行品质安全、掺杂掺假、理化指标和产地溯源等方面检测，深受各行各业的认可。但光学仪器使用环境以及被测样品性质具有局限性，光学检测结果易受到各种因素干扰，从而影响检测精度，应当予以消除或削弱。简述了近红外光谱和高光谱成像的检测基本原理，并对国内外近红外光谱及成像技术在检测时受到的影响因素进行总结与归纳，结合国内外研究学者在相关方面的研究内容，重点在温度、光照、水分、曲率变化和湿度等5个方面及相关校正方法的应用进行阐述，对当前存在的部分问题提出总结与建议，以期为相关方向的研究人员提供参考及借鉴。

在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)TFT工艺技术中，Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比，在进行栅极(Gate)制程时Cu容易发生腐蚀，这会降低产品良率。本文结合ADS(Advanced Super Demension Switch)显示模式下0+4掩膜板(mask)技术的Gate刻蚀制程和1+4掩膜版技术Gate光刻胶(Photo Resist，简称PR)剥离制程的Cu腐蚀现象进行分析，结合实验验证，确定Cu腐蚀原因，最终提出改善方案。实验结果表明：0+4mask技术的Gate制程中，ITO刻蚀液所含的HNO3会使MoNb/Cu结构电极的Cu发生电化学腐蚀；将电极结构更改为单Cu层则可以避免电化学腐蚀。在1+4mask技术的PR剥离(Strip)制程中，基板经历的剥离时间长或进行多次剥离或在剥离设备中停留，均会引起Cu腐蚀；增加剥离区间与水区间空气帘(Air Curtain)吹气量、增加TFT基板在过渡区间(H2O与剥离液接触的区间)的传输速度，管控剥离液使用时间等措施可以缓解Cu腐蚀。

Mo/Al/Mo结构金属作为TFT的电极, 刻蚀后的坡度角和关键尺寸差是重要的参数。明确影响坡度角和关键尺寸差的工艺参数, 进而控制坡度角和关键尺寸差, 这对工艺制程至关重要。本文探究了膜层结构、曝光工艺、刻蚀工艺对坡度角和关键尺寸差的影响, 并对刻蚀工艺进行正交试验设计。实验结果表明: Al膜厚每减小60 nm, 坡度角下降约9°, 关键尺寸差增加0.1 μm。曝光工艺中, 显影后烘烤会增加光阻粘附力, 导致关键尺寸差减小0.1 μm , 同时坡度角增加约9°。刻蚀工艺中, 过刻量每增加10%, 坡度角下降3.3°, 关键尺寸差增加0.14 μm; 正交试验结果表明, 对关键尺寸差、刻蚀均一性、坡度角影响因素的重要性顺序是: 液刀流量＞Air Plasma电压＞水刀流量。经上述探究表明, 坡度角和关键尺寸差呈负相关关系, 刻蚀程度增加, 关键尺寸差增加, 而坡度角则减小。可以通过调节工艺参数对坡度角和关键尺寸差进行控制。