AuGe合金具有接触电阻低与GaAs衬底粘附性好等特点,广泛应用于金属/半导体(M/S)器件中以 形成欧姆接触。在GaAs表面蒸镀AuGe/Au材料,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜(SEM)、 X射线光电子能谱分析仪(XPS)和X射线衍射仪对样品欧姆接触的界面特性进行了分析。随着退火温度的 升高,接触电阻呈现V型趋势, AuGe部分分解, Au、Ge向GaAs界面扩散, Ga、As向金属层扩散,金属表层出 现暗灰色孔状物,主要成分为AuGa、AuGaAs等,此外Ge、Ga的结合能增加0.3～0.6 eV, Ga3+、Ge4+高价 态的占比增加, Ge含量为10%的材料作为n-GaAs接触电极,退火温度在380～420 °C 之间可使其形成良好的欧姆接触。

介绍了一款高速串行接口发送机芯片。均衡器采用多抽头前馈均衡结构, 且各阶均衡系数均可调, 增大了均衡调谐范围, 提高了均衡精确度; 驱动器采用 H树型电流模结构, 提高了电流利用率, 降低了功耗。设计采用 TSMC 55 nm CMOS工艺, 电源电压为 1 V, 输出数据率范围为 550 Mb/s~6.25 Gb/s。在最高工作速率 6.25 Gb/s下, 发送机整体功耗约 20 mW, 结果表明发送机均衡精确度较高, 功耗较低。