GeTe基半导体的非晶态，.-GeTe相和.-GeTe相可以相互转换，且在一定条件下稳定存在。利用高浓度空穴掺杂改善 GeTe热电和铁电性能，以及非晶相和晶相间的巨大差异和快速切换，使其在热电、自旋器件、相变开关、相变存储等多个领域具有很大的应用前景。此外， GeTe具有窄光学带隙和高载流子迁移率，有望用于高性能红外光电探测，然而其在红外光电探测方面还处于初始阶段。本综述在详述其性质及在热电、相变等领域应用情况的基础上，根据 GeTe的光电性质，展望了其在红外光电探测领域方面的应用。

基于场效应晶体管(FET)结构的光电探测器能通过栅压抑制噪声信号并具有光电信号放大的功能。有机半导体材料已经被广泛应用到光敏晶体管中，全有机探测器对于实现大面积器件制备、降低成本及柔性器件具有十分重大的意义。然而，多层有机聚合物的成膜，必须避免在溶液制备过程中的“溶剂腐蚀”问题。实验中，采用顶栅底接触(TGBC)FET结构及正交溶剂(orthogonal solvent)的方法，以乙酸丁酯作为聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)的溶剂，避免对聚(3-己基噻吩)(P3HT)有源层的破坏，成功制备了性能优良的全有机光电探测器Au(源漏极)/P3HT(150 nm)/PMMA(800 nm)/Al(栅极)，其“开/关”电流比达到10³，迁移率达8×10^-3 cm²·V^-1·s^-1。该器件对350~650 nm的光照均有响应，在0.1 mW/cm²光照下其“明/暗”电流比达75。在600 nm光照下，其最大响应度达到0.28 A/W，其响应度变化趋势与P3HT的吸收光谱情况相似。

量子点又称为纳米晶, 是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒(粒径1～10nm), 由于电子和空穴的量子限域效应, 连续的能带结构变成分立的能级结构, 受激后可以发射荧光。量子点的发光光谱可以通过量子点的粒径大小来调节。文章基于量子点的电致发光和光致发光的机理, 主要介绍了近年来基于量子点的白光发光二极管的研究进展。

作为空穴阻挡材料,BCP通常被用在蓝光以及白光有机电致发光器件中,其空穴阻挡能力随着其厚度的增加而增强;另一方面,在电场作用下,空穴也能隧穿厚度较薄的BCP层。为了深入了解BCP在多层有机电致发光器件中的作用,文章研究了不同电压下BCP层厚度对器件ITO/NPB/BCP/Alq3:DCJTB/Alq3/Al电致发光光谱的影响。实验发现,较薄的BCP层可以部分地阻挡空穴并能调节能量在不同发光层之间的传递,从而容易获得白光器件;但该种结构器件的电致发光光谱随着电压的变化变动较大。当BCP层足够厚时,器件的电致发光光谱也变得相对较稳定;当BCP的厚度为15nm以上时,空穴就很难再隧穿过去。文章还讨论了不同电压下多层器件的电致发光光谱发生变化的原因。