作者单位
摘要
中国航发北京航空材料研究院先进复合材料国防科技重点实验室,北京 100095
分别在500 ℃、700 ℃、900 ℃及1 100 ℃空气条件下,对石墨及渗硅石墨进行氧化实验,以分析熔融渗硅对等静压石墨氧化行为的影响。采用扫描电镜(SEM)分析了样品表面及内部形貌,通过压汞法表征了样品的孔隙结构,并对材料的力学性能进行了测试分析。结果表明:500 ℃条件下,石墨和渗硅石墨均未发生明显的氧化失重现象;温度为700 ℃时,石墨的氧化失重率随时间延长明显增加,而该温度下渗硅石墨的氧化失重率变化较小。而且,渗硅石墨在700 ℃时仍能保持较好的强度,而此温度下,石墨随氧化时间的延长,强度明显降低,甚至被氧化成粉末状。因此,熔融渗硅在提高材料抗氧化性能的同时能够显著提升材料的强度。
石墨 抗氧化 孔结构 熔融渗硅  弯曲强度 graphite oxidation resistance pore structure silicon infiltration silicon bending strength 
硅酸盐通报
2022, 41(1): 258

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