1 哈尔滨工业大学空间光学工程研究中心, 黑龙江 哈尔滨 150001
2 长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林 长春 130022
通过射频磁控溅射技术,成功制备了具有金属-半导体-金属(MSM)结构的ZnO紫外光电探测器。研究了外加偏压对探测器响应度和截止波长的影响。随着偏压的增大,器件的响应度逐渐增加并且趋于饱和,探测器的响应截止波长红移了12 nm。这是电场引起的耗尽层的展宽以及带隙倾斜造成的。提出了一种利用外加偏压控制探测器截止波长的有效方法,该方法对紫外光电探测器的进一步研究和应用具有重要意义。
探测器 光电探测器 氧化锌 金属-半导体-金属结构 响应度 截止波长 红移 光学学报
2020, 40(20): 2004001
吉林大学 电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林 长春 130012
高功率阵列半导体激光器已得到广泛应用,对其质量和可靠性进行无损检测很有必要。在导数测试技术中,参数h是电导数曲线阈值处的下沉高度,参数Q是二阶光导数曲线阈值处的峰的高宽比。对导数测试参数h,Q与阵列激光器的单元器件的质量和均匀性进行了研究。基于其等效电路在一定条件下,计算了阵列激光器的均匀性对h的影响。并对实际阵列器件进行了导数测试。理论和实验结果对比表明,h,Q等参数是组成阵列的各管芯的均匀性的灵敏参数。
激光器 阵列半导体激光器 可靠性检测 导数技术
吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区, 吉林 长春 130012
为实现对高功率半导体激光器快速、有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析。结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密相关。结电压饱和特性不好的器件一般都存在某种缺陷,结电压饱和特性的差异超出一定范围的同种类器件一定是质量和可靠性差的器件。因此,阈值处电导数曲线的下沉高度h值可作为器件筛选的一个判据。用模拟测量的方法,对阵列器件和组成它的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单元器件的一致性(均匀性)紧密相关。均匀性不好的器件的电压饱和特性也不好。
激光器 可靠性检测 导数技术 高功率半导体激光器
