1 哈尔滨工业大学空间光学工程研究中心, 黑龙江 哈尔滨 150001
2 长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林 长春 130022
通过射频磁控溅射技术,成功制备了具有金属-半导体-金属(MSM)结构的ZnO紫外光电探测器。研究了外加偏压对探测器响应度和截止波长的影响。随着偏压的增大,器件的响应度逐渐增加并且趋于饱和,探测器的响应截止波长红移了12 nm。这是电场引起的耗尽层的展宽以及带隙倾斜造成的。提出了一种利用外加偏压控制探测器截止波长的有效方法,该方法对紫外光电探测器的进一步研究和应用具有重要意义。
探测器 光电探测器 氧化锌 金属-半导体-金属结构 响应度 截止波长 红移 光学学报
2020, 40(20): 2004001
1 曲阜师范大学 物理工程学院， 山东 曲阜 273165
2 鲁东大学 物理学院， 山东 烟台 264025
3 曲阜师范大学 激光研究所， 山东 曲阜 273165
利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜， 用Cu薄膜作电极，研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明：样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向；当Cu和 ZnO直接接触时，样品的I-V特性是非线性的；当Cu和 ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触，而且退火后欧姆接触性能明显提高，电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。
ZnO薄膜 Cu电极 金属-半导体-金属结构 欧姆接触 ZnO thin films Cu electrode MSM structure Ohmic contact
西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 陕西 西安 710071
用MEDICI软件对金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外(UV)探测器的I-V特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10-13 A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级; 探测器的光谱响应范围为200～400 nm,在347 nm处响应度达到极大值; 增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度; 当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而当波长大于峰值波长时随着外延层厚度的增大探测器的响应度有所增大。
探测器 紫外探测器 模拟 金属-半导体-金属结构 光谱响应
