1 浙江清华长三角研究院, 先进陶瓷材料与器件研究中心, 浙江 嘉兴 314006
2 佛山(华南)新材料研究院, 广东 佛山 528200
3 桐乡清锋科技有限公司, 浙江 嘉兴 314501
4 清华大学材料学院, 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室, 北京 100084
5 乌镇实验室, 浙江 嘉兴 314500
高性能环境友好型(K,Na)NbO3(KNN)基无铅压电陶瓷是国际上功能陶瓷的重要科学前沿和技术竞争焦点之一。优异的压电性能及其温度稳定性、抗疲劳特性、力学性能以及制备工艺重复性等综合性能是KNN基陶瓷有望得以广泛应用的重要前提, 而这些性能与KNN基陶瓷的多层次结构紧密相关。本工作从多层次结构调控的角度出发, 总结了KNN基陶瓷压电性能与其温度稳定性、抗疲劳特性、力学性能、制备工艺重复性研究等方面的研究进展以及KNN基陶瓷的应用技术研究进展。最后, 就KNN基无铅压电陶瓷的未来发展进行展望。
无铅压电陶瓷 铌酸钾钠 多层次结构 钙钛矿 lead-free piezoceramics potassium sodium niobate multiscale structures perovskite
1 全球能源互联网研究院有限公司 电工新材料研究所, 先进输电技术国家重点实验室, 北京 102211
2 西南科技大学 材料科学与工程学院, 绵阳 621000
3 中国工程物理研究院 流体物理研究所, 冲击波物理与爆轰物理重点实验室, 绵阳 621900
4 清华大学 材料科学与工程学院, 北京 100084
5 国网浙江省电力有限公司, 杭州 310007
陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应, 一直是非平衡物理学研究的重点和热点。本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷, 采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验, 通过对陶瓷击穿过程的分析和对比, 研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤。结果显示, 不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7 μs之内, 典型的压降曲线分为三个阶段。第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成; 第二阶段对应于晶界击穿; 第三个阶段是导电通道的完全形成。研究数据显示, 晶粒击穿过程的持续时间最长, 晶界次之, 气孔的击穿时间最短。不同烧结温度下, 样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异。
ZnO陶瓷 多晶材料 击穿过程 脉冲电压 ZnO ceramics polycrystalline materials breakdown process pulse voltage
中国航天时代电子公司激光惯导项目分公司，北京 100039
在介绍Allan方差方法的基础上，计算出了激光陀螺仪零偏测试数据的Allan方差。首次利用分段回归方法拟合Allan方差数据，得到了零偏测试中的各误差源系数。结果表明，该方法能有效地辨识出存在于激光陀螺仪零偏测试中的各种噪声，极大地降低了激光陀螺仪Allan方差数据处理的难度。指出了激光陀螺硬件中存在的误差，提出了激光陀螺仪的改进方案。
激光陀螺 零偏 Allan方差 分段回归 随机误差 ring laser gyros zero drift Allan variance piecewise regression random error
