硫化锑（Sb₂S₃）薄膜具有n型和p型两种导电类型。利用wxAMPS对具有不同电子传输层和空穴传输层的Sb₂S₃同质结太阳电池进行了设计和缺陷分析。提出了由glass/FTO/ZnS/（n）Sb₂S₃/（p）Sb₂S₃/Spiro-OMeTAD/Au构成的器件结构。在Sb₂S₃同质结太阳电池中形成的内建电场增加了能带的弯曲程度，从而导致了开路电压的增加。（p）Sb₂S₃中缺陷对器件性能的影响比（n）Sb₂S₃中的缺陷对器件性能的影响更大，而在ZnS/（n）Sb₂S₃界面和（p）Sb₂S₃/Spiro-OMeTAD界面处的缺陷对器件性能有同样重要的影响。当（n）Sb₂S₃和（p）Sb₂S₃中的缺陷密度都为10¹⁵ cm^-3，且ZnS/（n）Sb₂S₃界面处和（p）Sb₂S₃/Spiro-OMeTAD界面处的缺陷密度都为10⁹ cm^-2时，太阳电池的效率能够达到23.96%。模拟结果表明，基于Sb₂S₃同质结的器件设计是实现高效太阳电池的有效结构。

硫化亚锗(GeSe)具有合适的禁带宽度、高的吸收系数和高的载流子迁移率等优异的光电特性，且组分简单、低毒和储量丰富，特别适合作为光伏吸收材料。本文基于新型太阳电池吸收层材料GeSe构筑了结构为金属栅线/AZO/i-ZnO/CdS/GeSe/Mo/玻璃的薄膜太阳电池，分别模拟分析了缓冲层和吸收层的厚度、掺杂浓度，以及吸收层体缺陷密度对器件性能的影响。经过优化CdS缓冲层厚度和掺杂浓度以及GeSe吸收层厚度和掺杂浓度，器件获得高达27.59%的转换效率。这些结果表明GeSe基薄膜太阳电池有成为高效光伏器件的潜力。

报道了芯片尺寸为500 μm×500 μm 硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1 000 h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段；老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加；老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低；老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异，衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。