GaAs基垂直腔面发射激光器在干法刻蚀过程中，台面侧壁形成的缺陷会导致器件出现层结构分层、断裂以及氧化孔不规则等问题。针对该问题，提出了一种干法刻蚀与硫化铵钝化相结合的氧化前预处理方案，研究了硫化铵钝化处理对器件层结构以及氧化工艺稳定性的影响。扫描电子显微镜测试结果表明：器件侧壁层结构的分层现象减少，器件结构稳定性更好；高 Al 层的氧化速率更稳定，氧化孔形状更为规则。将该工艺方案用于制备氧化孔直径为5 μm的940 nm垂直腔面发射激光器，室温下，与传统工艺制备的器件相比，钝化后的器件的斜率效率提高了5%，各器件之间的性能一致性更好。同时，在1 mA的驱动电流下，激光器的边模抑制比可达36 dB，处于单模激射状态。在优化后的氧化工艺条件下，制备了形状规范的氧化孔结构，进一步改善了氧化限制型垂直腔面发射激光器的性能。

半导体激光器作为一种理想的激光光源，具有广阔的发展前景。在激光雷达、光泵浦、光纤耦合等领域，对半导体激光器的要求除大功率以外，还需具有高光束质量。由于大功率半导体激光器自身的结构特点，侧向易出现多模态光束，严重影响侧向光束质量。因此对大功率半导体激光器侧向模式进行控制，改善侧向光束质量，已成为行业内的研究热点。从3个部分展开：锥形激光器、宽脊波导半导体激光器光束质量控制、半导体激光器散热封装结构，分类介绍了当前国内外在控制侧向光束质量方面具有代表性的研究成果与进展。