作者单位
摘要
1 中国航天科工集团第二研究院 未来实验室, 北京 100854
2 同方威视技术股份有限公司 电磁感知事业部, 北京 100083
在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横向尺寸,为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性,基于TCAD对肖特基势垒二极管进行三维半导体器件建模计算,依据提取的关键特性参数进行混频器的高频电磁波仿真。通过对该设计方案进行测试,结果表明:当本振频率为110 GHz,功率为7 dBm,射频输入200~240 GHz,混频器的单边带变频损耗为8.6~13 dB,在204~238 GHz的单边带变频损耗为8.6~11.3 dB。当本振频率为108 GHz时,驱动功率仅需3 dBm。此外,基于该混频器模块构建的220 GHz接收机系统,积分时间为700 μs时其温度灵敏度为1.3 K。
肖特基势垒二极管 220 GHz 二次谐波混频器 线阵列集成 变频损耗 Schottky-barrier diodes 220 GHz sub-harmonic mixer linear array integration conversion loss 
红外与激光工程
2021, 50(10): 20210078
作者单位
摘要
1 清华大学 工程物理系, 北京 100083
2 同方威视技术股份有限公司 电磁感知事业部, 北京 100083
基于Hammer-Head型滤波器结构, 以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型, 分别设计了250 GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试, 对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明, 悬置微带线混频器在射频输入230~270 GHz范围内时, 单边带变频损耗为8.6~12.7 dB, 而普通微带线混频器在射频输入220~260 GHz范围内时, 单边带变频损耗为8.4~11.4 dB。通过结果对比可见, 悬置微带线混频器带宽较大, 而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外, 考虑微组装工艺中的不良因素, 对仿真模型进行部分修正, 计算结果与测试结果拟合较好。
肖特基势垒二极管 二次谐波混频器 变频损耗 Schottky-barrier diodes 250 GHz 250 GHz sub-harmonic mixer conversion loss 
红外与激光工程
2019, 48(7): 0722001

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!