1 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
2 专用集成电路国家级重点实验室,河北 石家庄 050051
基于最新研制的小阳极结反向并联肖特基二极管芯片,设计和制造了320~360 GHz固定调谐分谐波混频器。混频器的结构采用的是传统电场(E)面腔体剖分式结构:将二极管芯片倒装焊粘在石英基片上,再用导电银胶将石英电路悬置粘结在混频器下半个腔体上。电路设计采用场路相结合的方法:用场仿真软件建立混频电路各个功能单元的S参数模型,将它们代入非线性电路仿真软件中与二极管结相结合进行混频器性能整体仿真优化。最终测试结果表明,谐波混频器的双边带在4~6 mW的本振功率驱动下,在320~360 GHz超过12%带宽范围内,双边带变频损耗均小于9 dB;混频器在310~340 GHz频带范围内,双边带噪声温度最低为780 K。声温度最低为780 K。
固定调谐 谐波混频器 反向并联 变频损耗 fixed-tuned sub-harmonic mixer anti-parallel conversion loss 红外与激光工程
2022, 51(12): 20220168
红外与激光工程
2021, 50(10): 20210078
1 清华大学 工程物理系, 北京 100083
2 同方威视技术股份有限公司 电磁感知事业部, 北京 100083
基于Hammer-Head型滤波器结构, 以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型, 分别设计了250 GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试, 对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明, 悬置微带线混频器在射频输入230~270 GHz范围内时, 单边带变频损耗为8.6~12.7 dB, 而普通微带线混频器在射频输入220~260 GHz范围内时, 单边带变频损耗为8.4~11.4 dB。通过结果对比可见, 悬置微带线混频器带宽较大, 而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外, 考虑微组装工艺中的不良因素, 对仿真模型进行部分修正, 计算结果与测试结果拟合较好。
肖特基势垒二极管 二次谐波混频器 变频损耗 Schottky-barrier diodes 250 GHz 250 GHz sub-harmonic mixer conversion loss 红外与激光工程
2019, 48(7): 0722001
基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管建模, 以模拟在极高频复杂电磁环境中由于二极管结构引入的相关寄生效应.在软件HFSS与ADS中, 通过场与路结合的方法对分谐波混频器进行优化.实测结果显示在本振信号为210 GHz本振功率6 dBm的驱动下, 在406 GHz可得到最小变频损耗9.99 dB, 在380~430 GHz范围内, 变频损耗小于15 dB, 在360~440 GHz范围内, 变频损耗小于19 dB.
分谐波混频器 变频损耗 寄生参数 肖特基二极管 subharmonic mixer conversion loss parasitic parameters Schottky diode
1 电子科技大学 电子工程学院,四川 成都 611731
2 中国电子科技集团第十三研究所 集成电路国家重点实验室, 河北 石家庄 050000
在太赫兹频段, 二极管尺寸与波长相比已不能忽略, 二极管的封装会引入很大的寄生参量, 因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大, 会增加电路不确定性.采用12 μm砷化镓单片集成悬置微带线结构, 基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下, 在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB, 在320~340 GHz范围内, 单边带变频损耗小于14.7 dB.
太赫兹 单片集成分谐波混频器 肖特基二极管 砷化镓 变频损耗 terahertz monolithic integrated sub-harmonic mixer Schottky diode GaAs conversion loss
1 中国科学院空间科学与应用研究中心 中国科学院微波遥感技术重点实验室, 北京 100190
2 中国科学院大学, 北京 100190
3 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 江苏 南京 210016
为了在亚毫米波波段进行遥感探测, 研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管, 长度为74μm, 截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路, 并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二极管管芯的输入阻抗, 然后考虑二极管的封装、匹配电路, 仿真得到混频器的单边带变频损耗为8.0dB, 所需本振功率为4mW.测试表明, 本混频器的单边带变频损耗的最佳值为14.0dB, 433~451GHz之间的损耗小于17.0dB, 3dB带宽为18GHz, 所需的本振功率为5mW.
谐波混频器 变频损耗 肖特基二极管 石英基片 亚毫米波 sub-harmonic mixer conversion loss Schottky diode quartz sub-millimeter wave
针对亚毫米波混频二极管管对电路模型不够精确的问题, 采用场路结合协同分析, 将进出二极管的频率信号分类处理, 建立了一种应用于亚毫米波分谐波混频器电路的反向并联二极管对精确电路模型。基于获取的管对精确电路模型, 建立了全局性的分谐波混频器电路的集总元件等效电路模型, 设计并实现了一款183 GHz分谐波混频器。测试结果表明混频器在本振频率为92 GHz、功率为2 mW, 射频频率176~192 GHz范围内, 双边带变频损耗小于6.8 dB, 等效噪声温度小于800 K, 在182 GHz测得最小双边带变频损耗为4.9 dB, 与仿真数据吻合较好。
亚毫米波 分谐波混频器 肖特基二极管 变频损耗 sub-millimeter sub-harmonic mixer Schottky diodes conversion loss 强激光与粒子束
2015, 27(5): 053102
东南大学 毫米波国家重点实验室,江苏 南京210096
采用微带结构研制出三毫米波段二次谐波混频器.该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据二次谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,由此设计出本振网络;然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络.还设计了三毫米波波导到微带过渡转换,整个电路设计和安装在介电常数为2.22,厚度为0.127 mm的RT/Duroid 5880基片上.当本振频率为46.3 GHz时,该混频器射频输入90~95 GHz,实测带内变频损耗小于15 dB.
3毫米波 二次谐波混频器 变频损耗 肖特基势垒二极管对 3 mm wave length sub-harmonic mixer conversion loss anti-parallel Schottky diode
1 哈尔滨工业大学航天学院,黑龙江,哈尔滨,150001
2 南京理工大学微波工程研究中心,江苏,南京,210094
介绍了平面结构的V波段变频器.该变频器采用平衡变频结构,变频电路主体为平面结构,同时采用了E面探针结构的波导微带转换作为射频信号输出.文中给出了该上变频器的电路软件仿真结果和实测结果以及E面探针波导微带转换的仿真和测试结果.最后给出了该上变频器的实物结构.
V波段 上变频 变频损耗 E面探针. V band up converter conversion loss E-plane transition.