1 中国核动力研究设计院，反应堆燃料及材料国家重点实验室，成都 610213
2 四川大学机械工程学院，成都 610065
为探究钎焊过程对SiC陶瓷晶体结构的影响，为钎焊工艺设计提供理论及试验数据支撑，本研究采用纯Ni箔作为中间层在1 100~1 245 ℃下实现了6H-SiC的钎焊连接，并研究了焊缝以及6H-SiC基体与焊缝界面处的微观形貌。研究结果表明，少量Ni原子在钎焊过程中会扩散进入6H-SiC陶瓷，并以固溶形式存在，降低了6H-SiC层错能。随着钎焊温度升高，6H-SiC/焊缝界面处的焊后残余应力增大，当钎焊温度达到1 245 ℃时，界面处的6H-SiC的(0001)面沿1/3 <1100>方向产生滑移， 6H-SiC切变形成3C-SiC。因此，SiC陶瓷在钎焊过程中受应力和钎料组成元素的作用发生相变，针对特殊环境使用的SiC陶瓷需要斟酌钎焊工艺对其晶体结构及性能的影响。
相变 钎焊 残余应力 6H-SiC 6H-SiC 3C-SiC 3C-SiC phase transformation brazing residual stress
1 物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室,光电子材料与探测技术实验室,广西大学,南宁 530004
2 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
3 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州 510275
4 Department of Mechanical Engineering,University of Malaya,50603 Kuala Lumpur,Malaysia
5 Department of Physics,Auburn University,Auburn,Alabama 36849,U.S.A.
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3C-SiC薄膜厚度；根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。
3C碳化硅 光谱椭偏仪 拉曼散射 厚度 3C-SiC spectroscopic ellipsometry Raman scattering thickness
1 Physics Department,Nelson Mandela Metropolitan University, Port Elizabeth 77000,South Africa
2 High Resolution Electron Microscopy Facility,Nelson Mandea Metropolitan University，Port Elizabeth 77000,South Africa
3 Fuel Performance and Design Department,Idaho National Labor
