1 西北大学 信息科学与技术学院, 西安 710127
2 上海精密计量测试研究所, 上海 201109
3 西安电子科技大学 微电子学院, 西安 710071
利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN, 制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管。对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真。结果表明, 相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管, p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流转换效率都获得了显著提高, 器件具有更宽的振荡频带。该器件新结构在交流功率密度方面具有显著的应用潜力, 交流功率密度达到1.97 MW/cm2。该二极管是基于宽带隙半导体材料设计, 这为GaN、SiC材料IMPATT器件的设计与制造提供参考价值。
双漂移 异质结 碳化硅 氮化镓 IMPATT二极管 DDR heterojunction SiC GaN IMPATT diode
迄今为止, SDRAM存储器的扩容完全依赖于半导体工艺水平的升级, 而提速取决于对时钟的利用方式。DDR3 SDRAM已达8倍速率, 再提速已很困难。提出一种新型串行访问的SDDR存储器结构和片内串行只写总线, 将DDR存储器封装成消息连接的构件, 将访问存储器的命令、地址和数据等信息打成消息报包, 经片内串行只写总线与构件化的DDR存储器交换信息。SDDR存储器减少了引脚, 连接简单并且抗干扰能力强、可靠性高, 易于扩容和进一步提升时钟速率, 具有明显的实用前景。
存储器 串行只写总线 消息包 memory DDR DDR SDDR SDDR serial only write bus package
1 中国科学院 微电子研究所，北京100029
2 浙江大学 现代光学仪器国家重点实验室 国家光学仪器工程中心，浙江 杭州310027
研究了硅基液晶(LCoS)场序彩色显示驱动系统的设计与实现。该系统以FPGA作为主控芯片，用两片高速DDR2 SDRAM作为帧图像存储器。通过对图像数据以帧为单位进行处理，系统将并行输入的红、绿、蓝数据转换成串行输出的红、绿、蓝单色子帧。将该驱动系统与投影光机配合，实现了分辨率为800×600的LCoS场序彩色显示。
场序彩色显示 LCoS LCoS FSC FPGA FPGA DDR SDRAM DDR SDRAM
1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119
2 中国科学院研究生院，北京 100049
针对爆炸时刻光谱信息量大、存在时间短的特点，设计了一款基于线阵CCD高速光谱信息采集系统.系统以FPGA作为主控芯片不仅为CCD 提供工作时序,同时还控制着信号调理、模数转换和光谱信息的存储与传输.最后，通过USB串行总线将采集到的光谱信息传输至上位机进行后续处理.结果表明，利用该系统可在一次爆炸过程的100ns时间内完成四个时刻爆轰温度的测量，具有较高的测量精度和速度，可实现爆轰过程中高速动态光谱信息的采集与存储，并可应用于其它瞬态信息的获取领域.
光谱采集和存储 可编程逻辑阵列 Spectrum acquisition and storage CCD CCD FPGA DDR SDRAM DDR SDRAM
1 中国科学院 光电技术研究所,四川 成都 610209
2 中国科学院 研究生院, 北京 100039
为了实现光电跟踪测量系统高精度测量中图像数据的超高速实时存储,提出了基于双数据率(DDR)模组阵列的超高速数字图像存储方案。采用大容量DDR双列直插式内存模组(DIMM)阵列作存储介质,现场可编程门阵列(FPGA)作DDR模组阵列控制器,设计了存储系统。介绍了存储系统的总体设计框图,给出了DDR模组阵列控制器的各模块设计和图像数据的输入、输出方法。测试中完成了数据速率为1 000 MB/s的高速图像实时存储;分析表明其最高数据存储速率可达1 828 MB/s,可满足光电跟踪测量系统高精度测量对高帧频、大靶面图像传感器输出图像数据超高速实时存储的需求。
光电跟踪与测量 超高速图像存储 双数据率双列直插式内存模组 现场可编程门阵列 opto-electronic track and measurement ultra high-speed image storage Double-data Rate Dual In-line Memory Module(DDR DI Field Programming Gate Array(FPGA)
