在工业应用中，大多数情况下的复合结构介质仅有一面可以被检测，因此需要研究反射模式下检测介质内部参数的太赫兹无损检测方法.推导了反射模式下太赫兹波在三层结构介质中的传输模型，通过遗传算法共同反演估计得到中间分层的厚度，以及它的折射率，从而获得中间隐藏层的具体信息.制备了具有200 µm的隐藏分层的三层结构样品，利用太赫兹时域光谱系统对其进行了测量，将理论模型与实测数据进行对比，利用遗传算法估计得到隐藏层的厚度和折射率，将厚度估计值与测厚仪测量结果对比，误差保持在4%以内，折射率估计值与实际值相比，误差范围波动较大，平均误差为6%左右，最后对误差来源进行了分析，为多层复合材料内部缺陷、中间层材料的介电参数估计提供了理论和实验依据.研究表明该系统作为一种无损评价方法可以广泛应用于层状结构的可靠性评价.

太平天国侍王府壁画是中国南方壁画的典型代表, 具有重要的历史、 文化和艺术价值。 历史上曾对多幅壁画进行过化学保护, 部分壁画表面形成了一定厚度的有机物涂层, 分析研究壁画保护修复材料成分对于文物保护具有重要的理论和现实意义。 由于文物的珍贵性与不可再生性, 原位无损分析技术的研究和应用是未来文物分析的发展趋势, 基于便携红外光谱仪的反射红外光谱技术是对文物表面材质较为理想的无损分析手段。 利用反射傅里叶变换红外（FTIR）光谱对侍王府壁画的地仗层和表面修复材料涂层进行了现场原位无损分析, 这在我国古代壁画及其保护修复材料分析中属首次。 首先测试了无涂层壁画白色背景位置反射FTIR光谱, 并与标准无机矿物光谱比对确定了壁画地仗层成分主要为方解石和生石膏。 在此基础上, 分析了无涂层和有涂层壁画表面的红外反射特性及地仗层化学成分对表面涂层反射FTIR光谱测试的影响, 探讨了应用Kramers-Kronig（K-K）变换处理数据的可行性, 确定了K-K变换的应用范围, 分析了壁画涂层K-K变换后反射光谱与衰减全反射（ATR）光谱的差异, 并通过显微ATR FTIR光谱和热裂解气相色谱质谱联用（Py-GC/MS）技术分析验证了原位反射FTIR光谱测试结果的可靠性, 扫描电子显微镜（SEM）测量了涂层厚度, 证明不同厚度涂层均能得到可解析的高质量反射FTIR光谱。 最终确定侍王府壁画曾使用过聚醋酸乙烯酯、 聚二甲基硅氧烷和三甲树脂三种高分子材料进行过表面加固, 并得出壁画保存现状和修复材料及涂层厚度有较大关系。 证明了基于反射模式的FTIR光谱技术能准确有效地获取文物表面有机物和部分无机物成分信息。 该方法对表面有机涂层尤为敏感, 是壁画类文物较为理想的无损分析方法, 在壁画保护研究领域具有十分广阔的应用前景。 同时, 该研究弥补了我国壁画类文物表面有机物原位无损分析的不足, 为该领域研究提供了一条新思路。

We observed a phenomenon that different scattering components have different decorrelation time. Based on decorrelation time difference, we proposed a method to image an object hidden behind a turbid medium in a reflection mode. In order to suppress the big disturbance caused by reflection and back scattering, two frames of speckles are recorded in sequence, and their difference is used for image reconstruction. Our method is immune to both medium motions and object movements.

太赫兹反射式共焦扫描显微成像系统分辨率较高且可呈现物体三维像，因此具有很大的应用价值。针对一种连续太赫兹反射式共焦扫描显微成像实验光路，在所确定的系统参数条件下，计算分析了两种太赫兹波长( 118.83 μm 和184.31 μm )的系统轴向响应特性。仿真结果表明，所设计的波长118.83 μm 的成像实验装置横向分辨率可达0.23 mm，轴向分辨率约为4.27 mm；波长184.31 μm 的系统横向分辨率可达0.36 mm，轴向分辨率约为6.63 mm。探测器轴向偏移影响大于横向偏移影响。

利用分子束外延生长了三种结构的反射式 GaAs光电阴极, 其中一种为传统结构的反射式 GaAs光电阴极, 另外两种为具有 GaAlAs缓冲层的均匀掺杂和梯度掺杂反射式 GaAs光电阴极。激活后的光谱响应测试结果表明, 与传统结构的反射式 GaAs光电阴极相比, 具有 GaAlAs缓冲层的均匀掺杂反射式 GaAs光电阴极的长波响应更好, 而具有 GaAlAs缓冲层的梯度掺杂反射式 GaAs光电阴极相比其它结构的反射式 GaAs光电阴极能够获得更好的光电发射性能, 光谱响应曲线更平坦, 拟合光谱响应曲线结果表明其电子扩散长度和电子表面逸出几率都得到了增加, 从而具有更高的积分灵敏度和长波响应。

利用超高真空制备技术，对以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品进行了光电阴极制备，并利用紫外光谱响应测试仪，对所制备的基于负电子亲和势（NEA） GaN光电阴极在反射式和透射式两种工作模式下的量子效率特性进行了测试与对比分析。实验结果显示，在反射模式下，样品在240 nm处具有高达50%的量子效率，而在透射模式下量子效率最高只有15%，量子效率曲线拟合表明该样品的后界面复合速率为104 cm/s。通过分析发现，造成两种工作模式下量子效率相差较大的主要影响因素是后界面复合速率和GaN外延材料厚度。

通常认为,在近场光学显微技术的光收集模式中,观察透光性好的样品时采用透射模式,研究不透明样品时采用反射模式.本文同时采用透射和反射两种模式观察透明性较好的PC12细胞和淋巴细胞样品,初步研究单个细胞的反射、吸收、透射和荧光等光学性质,以促进组织光学和激光生物医学等领域的进一步发展.细胞光学的时代就要到来.

介绍了一种光纤探针同时作为光源和探测器的反射式扫描近场光学显微镜,该装置通过采用相干探测、偏振分光等技术克服了该类显微镜所普遍面临的噪声背景干扰问题,具有较高的光学信噪比,并通过样品纵向振动调制锁相实现了对样品表面光强梯度信号的探测成像,进一步改善了成像质量。成像研究表明该装置可对近场衰逝分量进行有效探测并实现了超衍射极限成像。