超分辨荧光显微成像技术可以突破光学衍射极限，为研究亚细胞结构乃至蛋白质等生物大分子的内部动力学过程提供了极其重要的研究工具，因此自发明以来就被生物及医学领域的科研工作者所关注和应用，特别是近年来生命科学和生物技术的突飞猛进，使超分辨荧光显微成像技术得到了前所未有的发展。本文主要阐述四种较新超分辨荧光显微技术的研究进展，即最低光子数超分辨荧光显微成像，波动超分辨荧光显微成像，基于荧光发色团反聚束效应的超分辨显微成像，以及基于深度学习的超分辨显微成像方法。分别从这些超分辨荧光显微技术的基本原理，实验实现方法及相关要求，成像性能及其与相关技术的对比，以及与其他超分辨技术的结合等角度，对近期的研究进展和应用情况进行简要说明，以期给该领域的研究人员提供一些参考。

因为太赫兹技术可以克服传统无损检测技术的局限性，具有穿透普通非金属材料等优点，可被用于分析层状材料的内部结构和内层厚度。本文首先介绍了太赫兹时域光谱系统(THz-TDS)在透射模式下的工作原理，然后使用Rouard等效界面理论来描述多层结构中波的传播，推导得到透射模式下太赫兹波在三层介质中的理论传输模型。通过太赫兹时域光谱系统对制备的样品进行了透射成像。结果证明样品内部聚氯乙烯(PVC)薄片的位置和形状等信息可以被探测到，从而为探测多层材料内部结构提供理论和实验依据。

在工业应用中，大多数情况下的复合结构介质仅有一面可以被检测，因此需要研究反射模式下检测介质内部参数的太赫兹无损检测方法.推导了反射模式下太赫兹波在三层结构介质中的传输模型，通过遗传算法共同反演估计得到中间分层的厚度，以及它的折射率，从而获得中间隐藏层的具体信息.制备了具有200 µm的隐藏分层的三层结构样品，利用太赫兹时域光谱系统对其进行了测量，将理论模型与实测数据进行对比，利用遗传算法估计得到隐藏层的厚度和折射率，将厚度估计值与测厚仪测量结果对比，误差保持在4%以内，折射率估计值与实际值相比，误差范围波动较大，平均误差为6%左右，最后对误差来源进行了分析，为多层复合材料内部缺陷、中间层材料的介电参数估计提供了理论和实验依据.研究表明该系统作为一种无损评价方法可以广泛应用于层状结构的可靠性评价.

针对综合化、模块化航空电子系统架构中现场可更换模块的设计特点, 讨论了一种机载高安全、高可靠的大容量Nand-Flash数据存储模块在符合ARINC653标准的分区操作系统中的设计方法, 具有Flash驱动层、Flash管理层、文件系统层架构。通过采用应急关键数据销毁的方式保障系统的高安全性, 通过采用坏块管理、损耗均衡以及可信恢复性文件系统的方式保障系统的高可靠性。对数据存储模块进行了不同层级、不同文件大小的读写测试, 应急毁钥测试和可靠性测试, 测试结果表明模块满足设计要求, 可以应用于需要高可靠性和高安全性的航空电子领域。

为实现正电子发射断层成像(Positron Emission Tomography, PET)探测器的作用深度(Depth Of Interaction, DOI)信息获取, 本文提出一种基于分光技术的探测器设计方案.探测器采用晶体单元与硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier, SiPM)一对一耦合、蛇形光路的设计和单端Anger加权读出方法进行DOI解码.基于GATE软件进行蒙特卡罗模拟, 建立8×1的LSO晶体阵列(单根晶体尺寸3.1×3.1×20 mm3); 模拟泛场照射获取位置查找表; 并进行不同深度的模拟, 获得各晶体在各深度的空间分辨率.结果显示所模拟的探测器模块DOI分辨率在1.0~6.7 mm之间, 平均值为3.2 mm.本文提出的基于蛇形光路的PET探测器方案能在维持系统成本和复杂度的前提下实现DOI解码, 提升PET系统的成像性能.

随着技术发展，**悬挂物的种类日趋多样化，由于作战仿真和嵌入式训练要求的不断提高，**悬挂物管理功能通用仿真技术要求也相对提高。在分析当前仿真需求的基础上，根据**悬挂物管理系统(SMS)的功能特点，结合HLA建模方法和模式设计思想，提出一套非硬编码(HardCoding)的仿真软件设计思路，建立悬挂物管理系统功能仿真的通用建模参考。可为作战训练系统的**悬挂物管理软件仿真研究提供借鉴。

在均匀电子气模型下,通过求解Dirac方程,计算了类氢离子束缚态能级能量与等离子体密度的关系,得到了能近似估算能级能量随等离子体密度变化的新拟合公式,该公式同样可以用以估算不同束缚态能级发生压致电离时的临界电子密度.通过与自洽场离子球模型计算结果的比较,作为一种简单和快捷的计算方法,均匀电子汽模型在近似计算束缚态能级能量及压致电离临界电子密度方面是自洽场离子球模型得很好近似方法.

通过在狄拉克方程中考虑德拜休克尔(Debye-Hückel)屏蔽势,研究了类氢离子C5+低能级能量1s(2S1/2),2s(2S1/2),2p(2P1/2和2P3/2)随等离子体电子温度及电子密度的变化规律,计算得到类氢离子C5+能级能量及能级电离势随等离子体环境的变化关系。同时,拟合得到了基于德拜休克尔屏蔽势下相当好的束缚态能级能量随等离子体环境变化的解析公式,利用该公式得到了类氢离子C5+相应各能级发生压致电离的临界电子密度,其结果与其它文献比有很好的可比性。结果表明：束缚态能级能量随等离子体电子温度的升高而减小,随等离子体电子密度的增大而增大。能级能量百分漂移量的对数值与等离子体电子密度的对数值以及等离子体电子温度的对数值之间均呈现出近似线性关系。对计算等离子体电离态分布及光谱模拟具有一定的意义。

采用离子球模型,通过自洽求解Poisson方程和Dirac方程,得到氖的类氢离子低能级组态的能级能量随等离子体电子温度和电子密度的变化关系,进一步研究了等离子体电子温度和电子密度对光谱漂移的影响.结果表明:光谱漂移随着等离子体电子密度的增大而增大,随着电子温度的升高而减小;谱线精细结构分裂随着电子密度的增大而减小,随着电子温度的升高而增大.等离子体对束缚电子的屏蔽是决定光谱漂移的主要原因.这些变化规律不仅对等离子体光谱模拟结果产生影响,而且使实验上观测光谱的相对或绝对漂移成为可能,从而为高密度等离子体诊断的新方法提供了理论依据.