并联电路E类功率放大器(PA)具有结构简单和高效的优点, 因而被广泛应用。针对并联电路E类PA存在带宽较窄、效率较低的问题, 对其输出匹配网络提出了一种改进方案。采用混合式π型结构作为PA的输出匹配网络, 在较宽的工作带宽内完成了最佳阻抗与标准阻抗的转换, 有效地抑制了二次谐波分量, 提高了电路的效率。为了验证所提出理论的有效性, 基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了一种结构简单、高效率和高功率的单片集成E类功率放大器。版图后仿真结果表明, 在2.5～3.7 GHz工作频率范围内, 输出功率大于40 dBm, 功率附加效率为51.8%～63.1%。版图尺寸为2.4 mm×2.9 mm。

针对宽带高效率功放的设计要求，基于宽带匹配网络设计了一款GaN宽带高效率功率放大器，其工作频率覆盖整个S波段。仿真结果显示，该功放在整个S频段内漏极效率(DE)大于62%，功率附加效率(PAE)大于57%，增益大于10.6 dB。实测结果表明，该功放在整个频段内DE大于54%，PAE大于48%，增益大于9 dB，增益平坦度在1 dB以内，实现了S波段高效率宽带功率放大器的设计。