中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
基于0.6 μm高低压兼容CMOS工艺,设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器(DAC)。采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅运放作为缓冲输出,保证了DAC良好的单调性,提高了抗辐射能力。该DAC芯片尺寸为5.80 mm×3.70 mm。测试结果表明,在正负电源电压分别为±5 V时,DAC的输出范围达到-2.5~2.5 V,功耗为26.95 mW,DNL为0.41 LSB,INL为0.34 LSB,输出建立时间为6.5 μs,INL匹配度为0.11 LSB。
高压DAC MOS管阈值 NMOS管环栅 总剂量辐射 high voltage DAC MOS transistor threshold voltage NMOS transistor ring-gate TID
