该文在单晶硅基底上设计了AlN/PZT复合压电薄膜层声表面波(SAW)器件，采用有限元法(FEM)研究了复合压电材料厚度(PZT厚度hPZT和AlN厚度hAlN)对AlN/IDT/PZT/Si结构中零阶、一阶SAW的相速度、机电耦合系数和电极反射系数的影响，根据色散特性得到最优化薄膜厚度。结果表明，AlN/IDT/PZT/Si结构中，当hPZT =0, 025λ，hAlN=λ时，零阶、一阶SAW都能取得最高相速度(分别为5 582 m/s和5 711 m/s)，适用于高频器件设计; 在hPZT=0, 2λ，hAlN=0, 1λ时，零阶SAW波的机电耦合系数最大(为21, 55%)，但此时相速度最小(仅为2 890 m/s)，适用于移动通信领域宽带低损耗SAW滤波器和延迟线结构信号处理器件的设计。