暨南大学光子技术研究院，广东省光纤传感与通信技术重点实验室，广东 广州 511443
现有主流光刻技术与设备变得越来越复杂的原因之一在于其仍然囿于线性光学光刻范畴，未能突破光学衍射极限，是衍射极限附近的光刻技术。采用紫外、可见或近红外等长波长光源进行纳米光刻，必须突破光学衍射极限，实现超衍射光刻，研究和发展激光超衍射纳米光刻技术具有十分重要的科学意义和应用价值。本文从光学衍射极限的基本概念出发，系统阐述各类超衍射光刻原理与方法，重点回顾激光远场超衍射光刻相关研究成果与最新进展，并对其现存的问题和发展方向进行评述。
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922029
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室, 成都 610209
基于霍普金斯(Hopkins)理论, 通过计算0.35 μm方孔的传统透射掩模、 边缘相移掩模、 部分边缘相移掩模、 辅助相移掩模以及衰减相移掩模在硅片表面空间像的光强分布, 找出了适合于各种相移掩模的最佳参数。 其中衰减相移掩模对提高光刻分辨率和增加焦深最为明显, 尤其在相干因子(σ)较小时更是如此。
相移掩模 光刻分辨率 焦深
