中国电子科技集团公司 第二十六研究所,重庆 400060
研究了常规光刻工艺下单晶薄膜晶圆制备声表面波滤波器的频率分散特性。结果表明，压电单晶薄膜的表面色差是引起频率分散性恶化的根本原因，采用抗反射膜工艺抑制衬底反射以及分区曝光工艺对不同色块进行曝光补偿，均能有效地提高片内频率一致性，频率2 MHz内包含最大器件数量占比，从常规曝光的48.81%提高到抗反射膜工艺的53.57%和分区曝光工艺的70.24%。
压电单晶薄膜衬底 抗反射膜 曝光补偿 频率一致性 piezoelectric-on-insulator wafer antireflective film exposure compensation frequency consistency
1 中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆 400060
2 中国电子科技集团公司第四十四研究所, 重庆 400060
单晶薄膜声表面波(SAW)滤波器因其低损耗, 低频率温度系数及大带宽而成为高性能SAW滤波器未来发展的方向。针对单晶薄膜衬底反射带来的换能器指条锯齿和均匀性恶化的问题, 该文采用了有机抗反射膜工艺, 通过控制抗反射膜的膜厚将衬底的相对反射率由15.84%降低至1.08%, 制作出整齐无毛刺的叉指换能器指条, 并将SAW谐振器的伯德Q（Bode-Q）值由1 400提升到1 950。
压电单晶薄膜衬底 抗反射膜 光刻 伯德Q值 piezoelectric single crystal thin film substrate antireflective film lithography Bode-Q
