SiC雪崩光电二极管(APD)是用于探测微弱紫外光的优选器件。通过研究器件在高压下的光响应行为，发现随着偏压的增加，器件响应峰值和截止波长始终稳定在280 nm和380 nm处，表明SiC APD在雪崩击穿状态下仍具有可见光盲特性。这说明SiC APD在进行微弱紫外光探测时，凭借材料本身性质便可屏蔽可见及红外光的影响，有利于降低器件复杂度和成本。另外，为了增大器件的感光面积，将SiC APD直径增大到500 μm，器件在95%击穿电压下，暗电流仅为2×10^－10 A，当暗计数为1 Hz/μm²时，器件单光子探测效率为0.7%，实现了SiC APD尺寸上的突破。

采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法，在六方结构GaN结构优化的基础上，计算了GaN(0001)A面吸附Cs后功函数变化，指出吸附系统表面形成了一个有效的GaN－Cs电偶极子层，降低了原本的GaN表面势垒，形成更加有利于电子逸出的外光电发射效应特性。接着图示吸附Cs、O后的电子结构，指出吸附原子和衬底之间的键合。六方结构GaN材料的光学性质通过Kramers-Kronig 关系得出。根据GaN的介电函数谱，得出了254nm光波长下以GaN为激活层材料的反射式光电阴极在不同少子扩散长度下的内量子效率。计算结果表明六方结构GaN(0001)A面是可见光盲光电阴极的优良发射表面，且254 nm处的量子效率可达到60％,远大于碱金属卤化物紫外光电阴极。