中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室, 四川 成都 610209
针对现有同轴检焦方法如临界角法、博科刀口法、针孔法以及像散法等容易受光强变化的影响,且对系统装调有较高要求的问题,提出一种基于差动调制度解析的同轴检焦方法。通过物理光栅对成像空间进行编码,并采用傅里叶变换解析经基片高度调制后的编码图像调制度分布,结合差动探测系统实现对基片高度的精确测量。理论与实验表明,采用数值孔径为0.9、放大倍率为100的物镜,检焦精度优于10 nm。本文所提的检焦方法无需复杂光学元件,具有结构简单、测试精度高等优点,将为新型光刻技术提供一种新的高精度同轴检焦手段。
测量 同轴检焦 光刻 傅里叶变换 调制度
1 中国科学院理化技术研究所, 北京 100190
2 中国科学院光电技术研究所, 四川 成都 610209
3 中国科学院大学, 北京 100049
针对现有离轴检焦技术在浸没式光刻方法中的局限性，提出了一种新的基于干涉的同轴检焦方法。测量光通过光刻物镜入射到硅片表面，在硅片表面反射后再次经过光刻物镜后，测量光和参考光产生干涉条纹，并被CCD接收，从而将硅片的离焦量信息调制在干涉条纹的相位信息中。通过对干涉条纹的相位提取，即可获得硅片的离焦量。仿真结果表明，该方法可以达到λ/25(λ=632.8 nm)的检焦精度，并具有良好的抗噪性，满足浸没式光刻高精度、实时、非接触焦面测量的要求。
测量 同轴检焦 干涉 傅里叶变换 离焦量 中国激光
2013, 40(12): 1208005
